求助達人:MOSFET居然柵漏極擊穿??

昨天做推挽電路實驗,MOSFET控制信號由DSP發(fā)出,未加隔離.在負載端加上電容后,MOSFET發(fā)出微響聲.之后發(fā)現(xiàn)MOSFET柵漏極已經(jīng)短路,漏源極之間完好,DSP芯片被損.
實驗輸入電壓只有36V,奇怪的是為何MOSFET柵漏極為何被擊穿?而漏源極完好?柵極不是有絕緣層的嗎?各位有沒有遇到過柵漏被擊穿的情況?困惑..困惑...求助各位達人,小妹在此先謝過了

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洪七公

LV.9

2007-03-17 20:03

你Vgs的耐壓是多少?

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caomin

LV.5

2007-03-18 18:28

就只實驗了一次嗎???????

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hintman

LV.5

2007-03-20 11:17

連DSP都壞了,Vgs上的電壓肯定超過了.

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xkw1

LV.9

2007-03-20 11:39

顯然D有嚴重過壓,柵內(nèi)阻又高,給干掉了．

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lingfengzi

LV.2

2008-10-23 15:54

@xkw1

顯然D有嚴重過壓,柵內(nèi)阻又高,給干掉了．

xkw1老師能說的詳細點嗎?如果,D端電壓過高,那么漏源極也肯定打死啊;為何僅僅柵漏打死而漏源完好呢?還有,柵漏打死后,是怎么燒壞IC的?困惑!
請幫忙解答下!謝謝!

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LV.1

2008-10-23 16:49

@lingfengzi

最好先看下VGS有沒有超過MOS管的最大值,只要超過了最大值,哪怕是極短的時間,也會造成對柵極氧化層產(chǎn)生永久的損壞.還有就是IC的輸出與MOS管柵極的引線要越短越好.引線太長,它們之間存在的電感會容易使VGS電壓引起振蕩,使它的值超過最大限定值,可以在GS端加一穩(wěn)壓管來防止這種問題產(chǎn)生.

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xkw1

LV.9

2008-10-24 11:52

@lingfengzi

MOSFET是由很多個小管子并聯(lián)組成的,我們把每個小MOSFET叫做胞.每個胞的柵都要通過多晶硅連到輸出引線上.每個胞的柵到引線的距離不一樣,電阻也就不同了,距離近的幾乎為零,遠的有幾十歐,我們稱為柵寄生電阻.
如果MOSFET關(guān)的很快的話,遠處胞的柵上感應(yīng)的密勒電流會很大;柵寄生電阻上產(chǎn)生的電壓會很高,有可能干掉胞的柵源的絕緣,導(dǎo)致柵源短路.當然;這電壓同樣也有可能擊穿柵漏絕緣.
柵漏擊穿后,漏極的高壓大電流會灌入驅(qū)動器,導(dǎo)致驅(qū)動電路損壞.

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zhgr

LV.5

2008-10-25 19:43

@xkw1

MOSFET是由很多個小管子并聯(lián)組成的,我們把每個小MOSFET叫做胞.每個胞的柵都要通過多晶硅連到輸出引線上.每個胞的柵到引線的距離不一樣,電阻也就不同了,距離近的幾乎為零,遠的有幾十歐,我們稱為柵寄生電阻.如果MOSFET關(guān)的很快的話,遠處胞的柵上感應(yīng)的密勒電流會很大;柵寄生電阻上產(chǎn)生的電壓會很高,有可能干掉胞的柵源的絕緣,導(dǎo)致柵源短路.當然;這電壓同樣也有可能擊穿柵漏絕緣.柵漏擊穿后,漏極的高壓大電流會灌入驅(qū)動器,導(dǎo)致驅(qū)動電路損壞.

大俠真厲害!MOSFET工藝也熟!

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wheelzhou

LV.9

2011-05-09 14:15

@zhgr

大俠真厲害!MOSFET工藝也熟!

跟風(fēng)學(xué)習(xí)！

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linyongcan

LV.3

2011-05-13 10:33

@xkw1

MOSFET是由很多個小管子并聯(lián)組成的,我們把每個小MOSFET叫做胞.每個胞的柵都要通過多晶硅連到輸出引線上.每個胞的柵到引線的距離不一樣,電阻也就不同了,距離近的幾乎為零,遠的有幾十歐,我們稱為柵寄生電阻.如果MOSFET關(guān)的很快的話,遠處胞的柵上感應(yīng)的密勒電流會很大;柵寄生電阻上產(chǎn)生的電壓會很高,有可能干掉胞的柵源的絕緣,導(dǎo)致柵源短路.當然;這電壓同樣也有可能擊穿柵漏絕緣.柵漏擊穿后,漏極的高壓大電流會灌入驅(qū)動器,導(dǎo)致驅(qū)動電路損壞.

請問如果是GS腳擊穿，其他腳微擊穿！ IC CS電阻也燒了！請教這樣是什么問題引致的？！

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