為什么在5V左右這個平臺這會有一個電壓下降的一點,是因為IC的驅(qū)動不夠嗎?

FET和IGBT都是在5V左右開始開啟.這是蜜勒效應(yīng)引起的(漏-柵間電容在FET開過程中放電;抵消了驅(qū)動電流).此時,FET/IGBT處在線性區(qū).時間越長,表示開關(guān)損耗越大.但EMI/EMC噪音會小,反之損耗小,噪音大.

謝謝你的回復,你的意思這個點是正常存在的是嗎?
和IC本身的驅(qū)動能力是不是沒太大關(guān)系,像你所講如果漏-柵間的電容越大這點就越是明顯,

那我想再問一下,漏-柵間的電容是不是和FET的規(guī)格電流和耐壓成正比

xkw1不好意思我一下子問多了,請諒解

通常,這與IC關(guān)系不大.理論上講,硬開關(guān)中;該現(xiàn)象永遠存在.
漏柵電容與FET規(guī)格和工藝有關(guān).對同一廠家的同一工藝下的器件講,FET越大,電容也越大.但非線性.

終于等到XKW1的回復了,你所講的“FET越大,電容也越大.但非線性”的意思工還沒明白,最后一句非線性的意思FET與電容不是成線性增長的是嗎?

是的!

說得對

xkw1你好!
還有一點我有點疑問,像對策輻射時,我們有一種做法就是把IC的驅(qū)動電阻加大一點讓FET的開通速度變緩.這種方式和選漏極和柵極電容大點的會不會有同樣的效果,如果是同樣的效果那它們的損耗是否也是一樣.

FET在電源里,通常工作在開關(guān)狀態(tài).如果對它的工作波形做富利葉展開的話,會發(fā)現(xiàn);它是由整數(shù)倍頻率不同幅值和相位的的正弦波;疊加而成.與開關(guān)頻率一樣的叫基波,2次以上的叫諧波.
柵電阻越小,RC充電越快;高次諧波越多.EMI/C越難過.開關(guān)損耗越小.

當然和驅(qū)動能力有關(guān)系,驅(qū)動能力越強這個時間會越小

我的電路由于miller引起的下降居然探到了0V,請教這樣是否會引起IGBT異常發(fā)熱?加大驅(qū)動電流是否可以解決?謝謝

很正常的.

大家來頂一下吧