取消C5,當(dāng)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),結(jié)電容的電壓通過(guò)C5、TX1后形成串聯(lián)諧振.要想關(guān)斷更好,建議用27Ω電阻(視開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)電壓而定)取代C5,D12反接.這時(shí)結(jié)電容的電壓通過(guò)D12、R13、TX1快速放電.請(qǐng)參考.

漏感問(wèn)題,加我QQ21453981,我告訴你解決辦法

的確如你所說(shuō),換用你這種方式之后,振蕩消失了.

不過(guò)這里還想問(wèn)一個(gè)問(wèn)題:就是推挽輸出后有一個(gè)隔直電容,而PWM信號(hào)的直流分量跟占空比成正比.這樣占空比越大(40%-50%),直流分量也越大,所以經(jīng)過(guò)電容后,PWM的正脈沖幅度會(huì)降低,降低的值就是等于原來(lái)的直流分量.所以15V的正脈沖經(jīng)過(guò)隔直后,正脈沖只有不到10V.拿這個(gè)電平去驅(qū)動(dòng)power MOSFET有點(diǎn)不放心.
如果光是把驅(qū)動(dòng)變壓器的次級(jí)圈數(shù)增大,那在占空比很小的時(shí)候,又會(huì)導(dǎo)致正脈沖超過(guò)15V,可能對(duì)power MOSFET造成損傷.

這個(gè)問(wèn)題怎么解決?電路形式除了PWM信號(hào),脈沖變壓器和power MOSFET不變,其他都可以變.

我覺(jué)得應(yīng)該不是漏感的問(wèn)題,而是次級(jí)線(xiàn)圈的電感和電容諧振的后果

頂一下,都不知道沉到哪里去了
希望高手不吝賜教

PWM 停止后,你的GS 間電量只有走C5的漏電流 和R11放電,當(dāng)然mosfet是慢慢地被關(guān)斷,如果主回路有點(diǎn),就處于耗散狀態(tài)了,

關(guān)鍵:放電回路-PWM停止后,不能通過(guò)C5 放電,

原因的確是想你所說(shuō)的,不過(guò)用了sun49說(shuō)的方法,振蕩已經(jīng)消失了.現(xiàn)在的問(wèn)題是隔直之后,正脈沖的幅度下降了,有什么辦法減輕這個(gè)幅度下降?

C6要么加大容量,或者是不是獨(dú)石或者CBB這樣的高頻響應(yīng)好的電容,忘告知實(shí)驗(yàn)結(jié)果.

一定要隔直嗎?

我也試過(guò)把電容值從1u加大到10u,效果有所改善,但正脈沖只是提高了不到1V.所以我覺(jué)得這不是根本的解決辦法.

隔直我覺(jué)得還是要的.因?yàn)槲抑皇褂昧诵」β实娜龢O管,如果不用,光是從仿真的結(jié)果來(lái)看,正脈沖的時(shí)候有2A那么大的電流流過(guò)上管(NPN管).

PS:我還沒(méi)有在實(shí)際的板子上做試驗(yàn),只是在電腦上仿真仿真而已

只要DS上有8V左右的電平就可以了,如覺(jué)電平低,只有加大電容.線(xiàn)路已有D11保護(hù),開(kāi)關(guān)管不會(huì)有問(wèn)題.

我現(xiàn)在的想法是增大脈沖變壓器的次級(jí)線(xiàn)圈匝數(shù),譬如從1:1增大到1:1.2或者1:1.5.以此來(lái)提高正脈沖的電平.不知道這種做法會(huì)不會(huì)引入其他的問(wèn)題呢

仿真, 看看邏輯關(guān)系就好,不可完全當(dāng)真

隔直電容c6要1uf么,這可是cbb談電容中的最大值了,下面還有人說(shuō)用10uf的電容,難道用電解電容嗎?還是你們只是做沒(méi)有具體電路實(shí)現(xiàn)的仿真?請(qǐng)指教

我也在用脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)MOSFET,請(qǐng)深入理解變壓器原理.去掉R13、D12試試,  去除C5驅(qū)動(dòng)脈沖幅度會(huì)隨占空比增大而減小.另外,象MTP6N60這類(lèi)中小功率MOSFET無(wú)需另加圖騰柱,UC384X系列就可直接驅(qū)動(dòng).

確實(shí),上面的管我照著你的電路搭了一個(gè)實(shí)際電路測(cè)試了,上面的npn燒掉了,不知道樓主是不是已經(jīng)解決了這個(gè)問(wèn)題呢,能總結(jié)一下說(shuō)一下結(jié)果嗎,我是用50kHz的脈沖

目前沒(méi)有什么好的辦法,隔直電容必須保留,只有去掉C5.這樣PWM波形的直流電平會(huì)降低,整個(gè)波形會(huì)往下移,也就說(shuō)正脈沖的電平會(huì)變低.10uF的時(shí)候只有8V.現(xiàn)在只是湊合用著這個(gè)辦法了.

用樓主貼上的電路,次級(jí)波形不理想哦,不知道樓主變壓器的參數(shù)是多少的,匝數(shù)比和使用的線(xiàn)徑是多少呢,方便說(shuō)一下嗎

我就是用普通電解電容的2.2UF,3525直接輸出驅(qū)動(dòng),變壓器次級(jí)也只用一串一并兩個(gè)電阻,很好的.

如果NMOS在電路的高端,而負(fù)載為蓄電池,情況又會(huì)怎樣呢?望做過(guò)類(lèi)似電路的高手支招!謝謝

第一帖附圖即可用于浮動(dòng)和隔離驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合.圖中R13 D12為錯(cuò)誤設(shè)置,磁芯材質(zhì)宜采用R5K及以上高磁通材料.

請(qǐng)問(wèn)你是如何實(shí)現(xiàn)在仿真過(guò)程中關(guān)掉PWM？