日韩在线不卡免费视频一区,日韩欧美精品一区二区三区经典,日产精品码2码三码四码区,人妻无码一区二区三区免费,日本feerbbwdh少妇丰满

  • 回復(fù)
  • 收藏
  • 點(diǎn)贊
  • 分享
  • 發(fā)新帖

關(guān)于MOS管的一種說法!高手請(qǐng)進(jìn)~~

以前,我聽別人說過這樣一個(gè)問題,MOS管截止?fàn)顟B(tài)比導(dǎo)通狀態(tài)所需要的驅(qū)動(dòng)功率要大,這種說法對(duì)嗎?自己也沒辦法做實(shí)驗(yàn)!
全部回復(fù)(9)
正序查看
倒序查看
ldfa
LV.4
2
2006-12-31 17:45
沒這個(gè)說法.
MOSFET的驅(qū)動(dòng)功率主要是控制柵的電容的充放電的功率,充和放是一樣的.這個(gè)功率與結(jié)型三極管的驅(qū)動(dòng)功率相比,是非常非常小的.
0
回復(fù)
2007-01-03 14:21
@ldfa
沒這個(gè)說法.MOSFET的驅(qū)動(dòng)功率主要是控制柵的電容的充放電的功率,充和放是一樣的.這個(gè)功率與結(jié)型三極管的驅(qū)動(dòng)功率相比,是非常非常小的.
哦   我也是聽說的
0
回復(fù)
2007-01-04 11:30
@ldfa
沒這個(gè)說法.MOSFET的驅(qū)動(dòng)功率主要是控制柵的電容的充放電的功率,充和放是一樣的.這個(gè)功率與結(jié)型三極管的驅(qū)動(dòng)功率相比,是非常非常小的.
但是 我今天特別留意了一下各個(gè)MOS管的PDF資料,發(fā)現(xiàn)測(cè)試條件一樣的情況下td(on)
0
回復(fù)
2007-01-04 11:33
@ldfa
沒這個(gè)說法.MOSFET的驅(qū)動(dòng)功率主要是控制柵的電容的充放電的功率,充和放是一樣的.這個(gè)功率與結(jié)型三極管的驅(qū)動(dòng)功率相比,是非常非常小的.
但是 我今天特別留意了一下各個(gè)MOS管的PDF資料,發(fā)現(xiàn)測(cè)試條件一樣的情況下td(on)
0
回復(fù)
2007-01-04 11:35
@ldfa
沒這個(gè)說法.MOSFET的驅(qū)動(dòng)功率主要是控制柵的電容的充放電的功率,充和放是一樣的.這個(gè)功率與結(jié)型三極管的驅(qū)動(dòng)功率相比,是非常非常小的.
但是 我今天特別留意了一下各個(gè)MOS管的PDF資料,發(fā)現(xiàn)測(cè)試條件一樣的情況下td(on)均小于td(off),不正說明了MOS管截止比導(dǎo)通更難嗎?
暈,發(fā)表話題時(shí),怎么不能打小于符號(hào)呢?
0
回復(fù)
ldfa
LV.4
7
2007-01-04 11:45
@緊閉〖雙眼〗
但是我今天特別留意了一下各個(gè)MOS管的PDF資料,發(fā)現(xiàn)測(cè)試條件一樣的情況下td(on)均小于td(off),不正說明了MOS管截止比導(dǎo)通更難嗎?暈,發(fā)表話題時(shí),怎么不能打小于符號(hào)呢?
是這么回事,這是因?yàn)闇系赖男纬膳c截?cái)嗟乃俣炔煌?
0
回復(fù)
2007-01-04 12:13
@ldfa
是這么回事,這是因?yàn)闇系赖男纬膳c截?cái)嗟乃俣炔煌?
也就是說,如果要讓 td(on)=td(off),那么就要加大驅(qū)動(dòng)MOS管截止?fàn)顟B(tài)的功率.當(dāng)然td(on).td(off)越小越好.
0
回復(fù)
ldfa
LV.4
9
2007-01-04 15:02
@緊閉〖雙眼〗
也就是說,如果要讓td(on)=td(off),那么就要加大驅(qū)動(dòng)MOS管截止?fàn)顟B(tài)的功率.當(dāng)然td(on).td(off)越小越好.
不對(duì)不對(duì).驅(qū)動(dòng)MOS管的功率與這個(gè)Td(on)/Td(off)無關(guān)!驅(qū)動(dòng)MOS管的功率只與控制極(柵極)的電容和控制極電壓有關(guān).導(dǎo)通時(shí)間與截?cái)鄷r(shí)間是材料參雜后的性質(zhì)有關(guān).
0
回復(fù)
2007-01-04 17:00
@ldfa
不對(duì)不對(duì).驅(qū)動(dòng)MOS管的功率與這個(gè)Td(on)/Td(off)無關(guān)!驅(qū)動(dòng)MOS管的功率只與控制極(柵極)的電容和控制極電壓有關(guān).導(dǎo)通時(shí)間與截?cái)鄷r(shí)間是材料參雜后的性質(zhì)有關(guān).
我的主要意思是   MOS管結(jié)電容是個(gè)固定值,驅(qū)動(dòng)MOS管的功率越大,充放電速度越快.現(xiàn)在將驅(qū)動(dòng)MOS截止的功率提高,也就是加快MOS管結(jié)電容放電的速度,即MOS管截止所須的時(shí)間比導(dǎo)通短,這樣與td(on)也許這樣做意義不大吧!
0
回復(fù)
立
即
發(fā)
帖