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關(guān)于MOS管的一種說法!高手請進~~

以前,我聽別人說過這樣一個問題,MOS管截止?fàn)顟B(tài)比導(dǎo)通狀態(tài)所需要的驅(qū)動功率要大,這種說法對嗎?自己也沒辦法做實驗!
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ldfa
LV.4
2
2006-12-31 17:45
沒這個說法.
MOSFET的驅(qū)動功率主要是控制柵的電容的充放電的功率,充和放是一樣的.這個功率與結(jié)型三極管的驅(qū)動功率相比,是非常非常小的.
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2007-01-03 14:21
@ldfa
沒這個說法.MOSFET的驅(qū)動功率主要是控制柵的電容的充放電的功率,充和放是一樣的.這個功率與結(jié)型三極管的驅(qū)動功率相比,是非常非常小的.
哦   我也是聽說的
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2007-01-04 11:30
@ldfa
沒這個說法.MOSFET的驅(qū)動功率主要是控制柵的電容的充放電的功率,充和放是一樣的.這個功率與結(jié)型三極管的驅(qū)動功率相比,是非常非常小的.
但是 我今天特別留意了一下各個MOS管的PDF資料,發(fā)現(xiàn)測試條件一樣的情況下td(on)
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2007-01-04 11:33
@ldfa
沒這個說法.MOSFET的驅(qū)動功率主要是控制柵的電容的充放電的功率,充和放是一樣的.這個功率與結(jié)型三極管的驅(qū)動功率相比,是非常非常小的.
但是 我今天特別留意了一下各個MOS管的PDF資料,發(fā)現(xiàn)測試條件一樣的情況下td(on)
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2007-01-04 11:35
@ldfa
沒這個說法.MOSFET的驅(qū)動功率主要是控制柵的電容的充放電的功率,充和放是一樣的.這個功率與結(jié)型三極管的驅(qū)動功率相比,是非常非常小的.
但是 我今天特別留意了一下各個MOS管的PDF資料,發(fā)現(xiàn)測試條件一樣的情況下td(on)均小于td(off),不正說明了MOS管截止比導(dǎo)通更難嗎?
暈,發(fā)表話題時,怎么不能打小于符號呢?
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ldfa
LV.4
7
2007-01-04 11:45
@緊閉〖雙眼〗
但是我今天特別留意了一下各個MOS管的PDF資料,發(fā)現(xiàn)測試條件一樣的情況下td(on)均小于td(off),不正說明了MOS管截止比導(dǎo)通更難嗎?暈,發(fā)表話題時,怎么不能打小于符號呢?
是這么回事,這是因為溝道的形成與截斷的速度不同.
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2007-01-04 12:13
@ldfa
是這么回事,這是因為溝道的形成與截斷的速度不同.
也就是說,如果要讓 td(on)=td(off),那么就要加大驅(qū)動MOS管截止?fàn)顟B(tài)的功率.當(dāng)然td(on).td(off)越小越好.
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ldfa
LV.4
9
2007-01-04 15:02
@緊閉〖雙眼〗
也就是說,如果要讓td(on)=td(off),那么就要加大驅(qū)動MOS管截止?fàn)顟B(tài)的功率.當(dāng)然td(on).td(off)越小越好.
不對不對.驅(qū)動MOS管的功率與這個Td(on)/Td(off)無關(guān)!驅(qū)動MOS管的功率只與控制極(柵極)的電容和控制極電壓有關(guān).導(dǎo)通時間與截斷時間是材料參雜后的性質(zhì)有關(guān).
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2007-01-04 17:00
@ldfa
不對不對.驅(qū)動MOS管的功率與這個Td(on)/Td(off)無關(guān)!驅(qū)動MOS管的功率只與控制極(柵極)的電容和控制極電壓有關(guān).導(dǎo)通時間與截斷時間是材料參雜后的性質(zhì)有關(guān).
我的主要意思是   MOS管結(jié)電容是個固定值,驅(qū)動MOS管的功率越大,充放電速度越快.現(xiàn)在將驅(qū)動MOS截止的功率提高,也就是加快MOS管結(jié)電容放電的速度,即MOS管截止所須的時間比導(dǎo)通短,這樣與td(on)也許這樣做意義不大吧!
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