ACT30B+13003無Y電容過EMI認證已經(jīng)通過.如有需要請可以和我聯(lián)系
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ACT30B做12V/1A 無Y電容過EMI已經(jīng)成功
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附件中有ACT30B的規(guī)格書和12V/1A的變壓器的做法1163124302.pdf1163124358.pdf
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ACT30的短路是靠VCC的欠壓而實現(xiàn)打嗝保護的,當然在低端的時候也容易因為達到芯片的Ilim為(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而進入打嗝的保護壯態(tài),所以根據(jù)這個出發(fā)點我們可以從以下幾個方面去做:1變壓器次級和反饋級耦合盡量好;2改善變壓器使其容易進入芯片的Ilim;3增加Vcc限流電阻和減小電解電容容量使短路時存貯的能量減小;4采用慢恢復整流管作反饋級的整流管使短路時漏感產(chǎn)生的VCC能量盡量消耗到達不了芯片;5增加E-B正向二極管消耗短路芯片SW產(chǎn)生的尖峰保護芯片(這點我在這貼里面有說)6減小開關管的B極驅動電阻,因為短路時若是驅動不夠則三極管消耗大容易炸掉,但是減小電阻容易引起效率的流失,所以需要合適選擇!從這幾點去做,短路保護是肯定可以實際的,并且多調(diào)幾次一定可以達到你的理想狀態(tài)!謝謝高手的使用,呵呵!
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@wanglongxiang
ACT30的短路是靠VCC的欠壓而實現(xiàn)打嗝保護的,當然在低端的時候也容易因為達到芯片的Ilim為(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而進入打嗝的保護壯態(tài),所以根據(jù)這個出發(fā)點我們可以從以下幾個方面去做:1變壓器次級和反饋級耦合盡量好;2改善變壓器使其容易進入芯片的Ilim;3增加Vcc限流電阻和減小電解電容容量使短路時存貯的能量減小;4采用慢恢復整流管作反饋級的整流管使短路時漏感產(chǎn)生的VCC能量盡量消耗到達不了芯片;5增加E-B正向二極管消耗短路芯片SW產(chǎn)生的尖峰保護芯片(這點我在這貼里面有說)6減小開關管的B極驅動電阻,因為短路時若是驅動不夠則三極管消耗大容易炸掉,但是減小電阻容易引起效率的流失,所以需要合適選擇!從這幾點去做,短路保護是肯定可以實際的,并且多調(diào)幾次一定可以達到你的理想狀態(tài)!謝謝高手的使用,呵呵!
ACT34已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)了
目前的話,ACT34和50是IC內(nèi)部有初級峰值限流電路,所以這兩個IC短路變壓器隨便繞都是沒有問題的,并且高低端的過流點通過加補償也可做到一致,保護是比較好的!ACT30以后可能也會出改善版,感興趣的話可以留意一下!
目前的話,ACT34和50是IC內(nèi)部有初級峰值限流電路,所以這兩個IC短路變壓器隨便繞都是沒有問題的,并且高低端的過流點通過加補償也可做到一致,保護是比較好的!ACT30以后可能也會出改善版,感興趣的話可以留意一下!
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@wanglongxiang
ACT30的短路是靠VCC的欠壓而實現(xiàn)打嗝保護的,當然在低端的時候也容易因為達到芯片的Ilim為(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而進入打嗝的保護壯態(tài),所以根據(jù)這個出發(fā)點我們可以從以下幾個方面去做:1變壓器次級和反饋級耦合盡量好;2改善變壓器使其容易進入芯片的Ilim;3增加Vcc限流電阻和減小電解電容容量使短路時存貯的能量減小;4采用慢恢復整流管作反饋級的整流管使短路時漏感產(chǎn)生的VCC能量盡量消耗到達不了芯片;5增加E-B正向二極管消耗短路芯片SW產(chǎn)生的尖峰保護芯片(這點我在這貼里面有說)6減小開關管的B極驅動電阻,因為短路時若是驅動不夠則三極管消耗大容易炸掉,但是減小電阻容易引起效率的流失,所以需要合適選擇!從這幾點去做,短路保護是肯定可以實際的,并且多調(diào)幾次一定可以達到你的理想狀態(tài)!謝謝高手的使用,呵呵!
暈!
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@wanglongxiang
測試過了,不知道我有什么需要我?guī)兔Φ哪?/span>
偶有疑問,最近剛看ACT30B的Datasheet和應用說明.
一般來講,反激變換器建議工作在DCM模式.
但根據(jù)你們的Datesheet,Fsw=65K,Tsw=16us,Dmax=75%,
If Lp=2.1mH,在低壓時,按公式估算,Vindc*Ton/Lp=Ipmax,
低壓時Ip根本達不到800mA,這樣系統(tǒng)必然進入CCM模式.
教材上講CCM模式的系統(tǒng)穩(wěn)定性比較難控制.
請問ACT30B如何解決這個問題?
謝謝
一般來講,反激變換器建議工作在DCM模式.
但根據(jù)你們的Datesheet,Fsw=65K,Tsw=16us,Dmax=75%,
If Lp=2.1mH,在低壓時,按公式估算,Vindc*Ton/Lp=Ipmax,
低壓時Ip根本達不到800mA,這樣系統(tǒng)必然進入CCM模式.
教材上講CCM模式的系統(tǒng)穩(wěn)定性比較難控制.
請問ACT30B如何解決這個問題?
謝謝
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@wanglongxiang
ACT30的短路是靠VCC的欠壓而實現(xiàn)打嗝保護的,當然在低端的時候也容易因為達到芯片的Ilim為(ACT30A)400mA或(ACT30B)800mA而進入打嗝的保護壯態(tài),所以根據(jù)這個出發(fā)點我們可以從以下幾個方面去做:1變壓器次級和反饋級耦合盡量好;2改善變壓器使其容易進入芯片的Ilim;3增加Vcc限流電阻和減小電解電容容量使短路時存貯的能量減小;4采用慢恢復整流管作反饋級的整流管使短路時漏感產(chǎn)生的VCC能量盡量消耗到達不了芯片;5增加E-B正向二極管消耗短路芯片SW產(chǎn)生的尖峰保護芯片(這點我在這貼里面有說)6減小開關管的B極驅動電阻,因為短路時若是驅動不夠則三極管消耗大容易炸掉,但是減小電阻容易引起效率的流失,所以需要合適選擇!從這幾點去做,短路保護是肯定可以實際的,并且多調(diào)幾次一定可以達到你的理想狀態(tài)!謝謝高手的使用,呵呵!
你的30最小開通時間是多少?
請問高壓短路的時候最小占空比理論值是多少?(按12V為例子,)
如果芯片最小開通時間大于 高壓短路的時候理論值最小占空比,原邊峰值電流最大值會有多少?
如果13003基極電流不夠 那么13003開通時候的Vce 電壓又是多少?
請問高壓短路的時候最小占空比理論值是多少?(按12V為例子,)
如果芯片最小開通時間大于 高壓短路的時候理論值最小占空比,原邊峰值電流最大值會有多少?
如果13003基極電流不夠 那么13003開通時候的Vce 電壓又是多少?
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