最近要做個(gè)Vin=9v~36v Vout=5v/3A 頻率350KHZ 3843 單端反激電路
可是在Vin=9v時(shí)mos相當(dāng)燙(使用IRFR120N)溫升達(dá)到80度以上 變壓器使用的是(AL=1600 Ae=18.3mm^2)且效率低到68% 但是Vin=10v以上時(shí) 效率就可達(dá)到75% 不知道溫升過高的原因是因?yàn)閱味朔醇げ贿m合做低輸入
還是有其它因素呢? 但是之前做的Vin=18v~36v 36v~72v的就沒有這樣的問題 請(qǐng)各位前輩能指點(diǎn)一二 感激不盡
單端反激 輸入低壓?jiǎn)栴}
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@tired
體積要做多大的呢?要不你先換IRF540S看一下吧,也是貼片的,不過是D2PAK,你得考慮改伴了.3843在你用的供電范圍內(nèi)對(duì)這個(gè)單管是可以直驅(qū)沒問題的,原來你用的導(dǎo)通電阻大.另外,你做的效率的確有些低了.
我用的case size是 50.8*25.4*10.2mm 銅殼
請(qǐng)問一下 一般mos的ID電流要比初級(jí)電流大幾倍才行呢?
我用的一款mos(55V 16A)還是很燙 效率大概只有68%(VIN9V時(shí))
于VIN9V 15W換算 初級(jí)電流7.4A左右 應(yīng)該足夠呀 為何必須選用到IRL540呢? 還是裕量能愈大愈好呢? 不過最頭疼還是溫升及效率問題呀.. 15W不需用到正激方式吧....
請(qǐng)問一下 一般mos的ID電流要比初級(jí)電流大幾倍才行呢?
我用的一款mos(55V 16A)還是很燙 效率大概只有68%(VIN9V時(shí))
于VIN9V 15W換算 初級(jí)電流7.4A左右 應(yīng)該足夠呀 為何必須選用到IRL540呢? 還是裕量能愈大愈好呢? 不過最頭疼還是溫升及效率問題呀.. 15W不需用到正激方式吧....
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@tired
體積要做多大的呢?要不你先換IRF540S看一下吧,也是貼片的,不過是D2PAK,你得考慮改伴了.3843在你用的供電范圍內(nèi)對(duì)這個(gè)單管是可以直驅(qū)沒問題的,原來你用的導(dǎo)通電阻大.另外,你做的效率的確有些低了.
我手上有IRF540N http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl540n.pdf
可是用了之后 MOS更燙 效率更低...是不是驅(qū)動(dòng)力不足呢? 而我用的3843是 http://www.micrel.com/_PDF/mic38C42.pdf
如果要看驅(qū)動(dòng)是否足夠是要看http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl540n.pdf的哪方面數(shù)據(jù)呢?
我剛?cè)脒@行不久 還有很多要摸索的 希望能給小弟些指導(dǎo)
可是用了之后 MOS更燙 效率更低...是不是驅(qū)動(dòng)力不足呢? 而我用的3843是 http://www.micrel.com/_PDF/mic38C42.pdf
如果要看驅(qū)動(dòng)是否足夠是要看http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl540n.pdf的哪方面數(shù)據(jù)呢?
我剛?cè)脒@行不久 還有很多要摸索的 希望能給小弟些指導(dǎo)
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看完你的貼子,建議:
1:你的模塊電源用的環(huán)境溫度很高,高達(dá)71度(你自己說的哈).趕快將3843換為2843或1843.
同時(shí)所選元器件(包括PCB板)要注意其溫度指標(biāo)
2:焊膏要選高溫焊膏
3:你的外型尺寸較小,建議輸出用同步整流,以提高效率,增強(qiáng)可靠性.
4:如果可行的話,建議用單端正極,因?yàn)槠漭斎腚娏鞣逯递^單端反極小,MOS管的損耗相對(duì)較小,以及輸出用自驅(qū)動(dòng)的同步整流也容易.
5:MOS管用IRF540N/TO-220.
以上僅供參考,祝你好運(yùn)!!!!
1:你的模塊電源用的環(huán)境溫度很高,高達(dá)71度(你自己說的哈).趕快將3843換為2843或1843.
同時(shí)所選元器件(包括PCB板)要注意其溫度指標(biāo)
2:焊膏要選高溫焊膏
3:你的外型尺寸較小,建議輸出用同步整流,以提高效率,增強(qiáng)可靠性.
4:如果可行的話,建議用單端正極,因?yàn)槠漭斎腚娏鞣逯递^單端反極小,MOS管的損耗相對(duì)較小,以及輸出用自驅(qū)動(dòng)的同步整流也容易.
5:MOS管用IRF540N/TO-220.
以上僅供參考,祝你好運(yùn)!!!!
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@szrg
看完你的貼子,建議: 1:你的模塊電源用的環(huán)境溫度很高,高達(dá)71度(你自己說的哈).趕快將3843換為2843或1843. 同時(shí)所選元器件(包括PCB板)要注意其溫度指標(biāo) 2:焊膏要選高溫焊膏 3:你的外型尺寸較小,建議輸出用同步整流,以提高效率,增強(qiáng)可靠性. 4:如果可行的話,建議用單端正極,因?yàn)槠漭斎腚娏鞣逯递^單端反極小,MOS管的損耗相對(duì)較小,以及輸出用自驅(qū)動(dòng)的同步整流也容易. 5:MOS管用IRF540N/TO-220.以上僅供參考,祝你好運(yùn)!!!!
謝謝各位前輩的建議 我會(huì)試著foward的方式制作
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@
你可以用個(gè)供電繞組,使3843的供電始終在15伏左右.另外限流保護(hù)也影響效率,要有1伏壓降,對(duì)9v輸入是很大的
abc前輩 似乎mos那1伏的壓降 就是影響單端反激低壓輸入時(shí)的效率主因
不過我用示波器觀察3843輸出波形時(shí) 于低壓時(shí) 似乎推不太動(dòng)irfr120n
了 已經(jīng)變形了 一般應(yīng)該要方波 結(jié)果變成了一大一小的方波了.......
我想是推不動(dòng)mos 造成mos過熱而影響效率 這款MOS應(yīng)該很容易推動(dòng)呀 之前18~36V都OK 只能低壓輸入才這樣 但是我設(shè)計(jì)這一款VIN9~36v
Vout5v 3a 初級(jí)電感6uH Np:6T Ns:3T Nb:9T Fs:350khz 時(shí)就出現(xiàn)這問題了
然而會(huì)影響到推動(dòng)MOS的驅(qū)動(dòng)能力 有哪些呢?
輸出整流管不加回復(fù)電容有差別嗎?
不過我用示波器觀察3843輸出波形時(shí) 于低壓時(shí) 似乎推不太動(dòng)irfr120n
了 已經(jīng)變形了 一般應(yīng)該要方波 結(jié)果變成了一大一小的方波了.......
我想是推不動(dòng)mos 造成mos過熱而影響效率 這款MOS應(yīng)該很容易推動(dòng)呀 之前18~36V都OK 只能低壓輸入才這樣 但是我設(shè)計(jì)這一款VIN9~36v
Vout5v 3a 初級(jí)電感6uH Np:6T Ns:3T Nb:9T Fs:350khz 時(shí)就出現(xiàn)這問題了
然而會(huì)影響到推動(dòng)MOS的驅(qū)動(dòng)能力 有哪些呢?
輸出整流管不加回復(fù)電容有差別嗎?
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@szrg
看完你的貼子,建議: 1:你的模塊電源用的環(huán)境溫度很高,高達(dá)71度(你自己說的哈).趕快將3843換為2843或1843. 同時(shí)所選元器件(包括PCB板)要注意其溫度指標(biāo) 2:焊膏要選高溫焊膏 3:你的外型尺寸較小,建議輸出用同步整流,以提高效率,增強(qiáng)可靠性. 4:如果可行的話,建議用單端正極,因?yàn)槠漭斎腚娏鞣逯递^單端反極小,MOS管的損耗相對(duì)較小,以及輸出用自驅(qū)動(dòng)的同步整流也容易. 5:MOS管用IRF540N/TO-220.以上僅供參考,祝你好運(yùn)!!!!
dbing前輩 最近我用了單端正激試做了一款vin18~36v vout5v 3a
效率有81% 但是mos似乎還是太燙 之前看你的回貼說正激的輸入電流峰值較單端反激小所以mos的損耗較小 但是最近我的實(shí)驗(yàn)情況似乎只有比反端好一些些而已..不知道此二種拓樸實(shí)際上Ip的大小如何?
看了些書籍這二種的ip也都差不多 只是儲(chǔ)能電感的使用情況不同
然而在這客戶限定的銅殼內(nèi) 非不得已才能使用push-pull的方式......
但成本實(shí)在是有點(diǎn)高且如果要雙輸出layout更難 希望前輩能再指點(diǎn)些正激的方法
效率有81% 但是mos似乎還是太燙 之前看你的回貼說正激的輸入電流峰值較單端反激小所以mos的損耗較小 但是最近我的實(shí)驗(yàn)情況似乎只有比反端好一些些而已..不知道此二種拓樸實(shí)際上Ip的大小如何?
看了些書籍這二種的ip也都差不多 只是儲(chǔ)能電感的使用情況不同
然而在這客戶限定的銅殼內(nèi) 非不得已才能使用push-pull的方式......
但成本實(shí)在是有點(diǎn)高且如果要雙輸出layout更難 希望前輩能再指點(diǎn)些正激的方法
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@ooya
dbing前輩最近我用了單端正激試做了一款vin18~36vvout5v3a效率有81%但是mos似乎還是太燙之前看你的回貼說正激的輸入電流峰值較單端反激小所以mos的損耗較小但是最近我的實(shí)驗(yàn)情況似乎只有比反端好一些些而已..不知道此二種拓樸實(shí)際上Ip的大小如何?看了些書籍這二種的ip也都差不多 只是儲(chǔ)能電感的使用情況不同然而在這客戶限定的銅殼內(nèi) 非不得已才能使用push-pull的方式......但成本實(shí)在是有點(diǎn)高且如果要雙輸出layout更難 希望前輩能再指點(diǎn)些正激的方法
目前輸入18~36v 雖然正激效率比反激好一些 但是mos的溫度還是太高了
就算用IRF540N也是會(huì)升到100度 .....且加RCD也有將尖波降下 看了許多書藉似乎反激與正激的初級(jí)電流Ipk都差不多高...mos的溫度問題快把我搞瘋了 希望各位高手能指點(diǎn)一二
就算用IRF540N也是會(huì)升到100度 .....且加RCD也有將尖波降下 看了許多書藉似乎反激與正激的初級(jí)電流Ipk都差不多高...mos的溫度問題快把我搞瘋了 希望各位高手能指點(diǎn)一二
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