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mosfet的耗散功率?

MOSFET的DATASHEET里都有一個耗散功率,隨溫度升高耗散功率降低,請問這個耗散功率是什么意思.比如一個MOSFET在25度時的耗散功率是400W,那這個MOSFET是否就不能用在600W輸出的BOOST升壓APFC上?另外,如果是半橋逆變電路,輸出為600W,那么是否每個MOSFET的耗散功率只要選擇300W就夠了?
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chym
LV.7
2
2006-10-11 10:49
輸出是輸出,耗散是耗散,兩回事,不能混為一談的,,,
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yxh5692
LV.2
3
2006-10-11 11:03
謝謝回復(fù),那這個耗散功率雜MOSFET的選擇中起什么作用呢?MOSFET的選擇我現(xiàn)在主要是看Vds和Id,當(dāng)然還有Rds,但是比如一個母線電壓400V,輸出600瓦的半橋逆變,它的Id并不高,為什么要選擇一個30~40A的MOSFET呢?
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ken21cn
LV.8
4
2006-10-11 21:09
@yxh5692
謝謝回復(fù),那這個耗散功率雜MOSFET的選擇中起什么作用呢?MOSFET的選擇我現(xiàn)在主要是看Vds和Id,當(dāng)然還有Rds,但是比如一個母線電壓400V,輸出600瓦的半橋逆變,它的Id并不高,為什么要選擇一個30~40A的MOSFET呢?
因?yàn)闊釒淼膯栴}.
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cosmoliu
LV.3
5
2006-10-12 14:34
@yxh5692
謝謝回復(fù),那這個耗散功率雜MOSFET的選擇中起什么作用呢?MOSFET的選擇我現(xiàn)在主要是看Vds和Id,當(dāng)然還有Rds,但是比如一個母線電壓400V,輸出600瓦的半橋逆變,它的Id并不高,為什么要選擇一個30~40A的MOSFET呢?
Id是MOSFET能通過的電流容量,主要由RDS與耗散功率確定,ID越高,表明MOSFET對電流的控制能力越大,如果用于功率控制,當(dāng)然給ID足夠的可控空間好些.當(dāng)然同樣的ID情況下,QG越小越好.
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ken21cn
LV.8
6
2006-10-14 10:14
@ken21cn
因?yàn)闊釒淼膯栴}.
稍微解釋一下,免得讓你一頭霧水.
Pd的定義通常是: (Tj(max)-Ta)/Rja, 它表征著芯片內(nèi)部的散熱能力.而I^2*Rdson是發(fā)熱,顯然Pd>=I^2*Rdson,否則IC燒毀.

許多datasheet上的電流或內(nèi)阻,哪怕是PD都是有條件的.什么條件呢?溫度. 具體的怎么查曲線我不說了.但概念先陳述一下,望你明白.
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