希望能得到高手指點(diǎn)!

這個功率是指的這個mos管自己本身可以承受的這么大的功率.

所以跟你整個的電路輸出功率是沒有直接關(guān)系的.

所以這個功率跟你那個功率是兩回事...可不可以用取決與你的mosfet部分電路承受.

那這個耗散功率是不是Id平方X Rds?這樣算的話電流要大大于額定的Id才會超過這個功率.那給出這個數(shù)據(jù)就沒什么意義了吧

id平方Xrds,只是在該條件下的rds,不是他的最大耗散功率.
rdson是隨著器件的運(yùn)行而改變的.

所以要算在最惡劣情況下的,rds及在該條件下運(yùn)行的電流,電流值和最大耗散功率值必須仔細(xì)觀察因?yàn)樗?
們只有當(dāng)背板溫度到25 ? C時才能達(dá)到.

所以你那樣算出來.不是它的最大耗散功率.

謝謝指教,那MOSFET的選擇和這個耗散功率就沒有什么關(guān)系了好象,因?yàn)榧词乖谧類毫忧闆r下算出來的值也是遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于額定的耗散功率的.可是我不明白,為什么一個母線電壓400V、輸出600W的半橋逆變電路,要選用Id高達(dá)40A的MOSFET?