大家來討論一下MOS管節(jié)電容與外加DS電壓的關系吧.
我想計算MOS的開關損耗,不過聽說節(jié)電容與外加電壓是有關系的.因為在PN結上的寄生電容與外加電壓是有關系的.不過我還沒有看到權威性的著作上的正式結論,不知道哪位DX可以指點一下.
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這是肯定的,電壓高,電容小.給你一張圖.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1095771124.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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這是肯定的,電壓高,電容小.給你一張圖.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1095771124.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
太謝謝了,可以告訴我這張圖的來源嗎?
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