如題,1158763128.doc
芯片用法跟下圖的單相Boost PFC一樣,只是采用無(wú)橋拓?fù)鋾r(shí),采樣電流比較麻煩,我用一個(gè)LEM采樣輸入電流,然后經(jīng)過(guò)一個(gè)由兩個(gè)運(yùn)放組成的絕對(duì)值電路,然后輸入到芯片電流采樣腳(3腳).
開(kāi)機(jī)時(shí),驅(qū)動(dòng)電路電阻冒煙,然后發(fā)現(xiàn)1150芯片也已經(jīng)燒壞,百思不得其解,而且這已經(jīng)是我第二次燒芯片.懂的DX來(lái)指點(diǎn)指點(diǎn),看看我的原因出在哪.
IR1150做無(wú)橋PFC燒芯片求救.
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@cnpower
無(wú)橋的似乎在三相上用的多吧?
目前炸管的現(xiàn)象已經(jīng)得到解決,但是輸入電流還是不好.
我一直在做,但是沒(méi)做出來(lái),在一些資料上看到說(shuō)由于管子受熱有了分擔(dān),功率能比單boost大一倍,我現(xiàn)在在做的是300w.
現(xiàn)在我的問(wèn)題是:輸入電流呈現(xiàn)限流狀態(tài),空載時(shí)輸出380v,功率 60w時(shí)就掉到320,再往上加輸出電壓繼續(xù)下降,輸入電流沒(méi)什么大變化.我一直覺(jué)得自己會(huì)不會(huì)PI有問(wèn)題,試了好多次都沒(méi)得到解決.大家來(lái)指點(diǎn)指點(diǎn),幫我把問(wèn)題找出來(lái).
我一直在做,但是沒(méi)做出來(lái),在一些資料上看到說(shuō)由于管子受熱有了分擔(dān),功率能比單boost大一倍,我現(xiàn)在在做的是300w.
現(xiàn)在我的問(wèn)題是:輸入電流呈現(xiàn)限流狀態(tài),空載時(shí)輸出380v,功率 60w時(shí)就掉到320,再往上加輸出電壓繼續(xù)下降,輸入電流沒(méi)什么大變化.我一直覺(jué)得自己會(huì)不會(huì)PI有問(wèn)題,試了好多次都沒(méi)得到解決.大家來(lái)指點(diǎn)指點(diǎn),幫我把問(wèn)題找出來(lái).
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@northeasttigar
請(qǐng)檢查你的電流取樣信號(hào),線路上的儲(chǔ)能電感不對(duì),應(yīng)該用兩個(gè)電感或用兩個(gè)繞組串聯(lián)使用會(huì)好些.
我電感采用兩個(gè),300w用兩個(gè)400uH的電感.取樣電流我用過(guò)兩個(gè):一個(gè)是采樣輸入電流,經(jīng)絕對(duì)值電路和反相比例,第二個(gè)是分別采樣兩開(kāi)關(guān)管電流,分別經(jīng)過(guò)一二極管,輸出點(diǎn)相同,再經(jīng)反相比例.兩種效果都不好,我感覺(jué)可能是運(yùn)放對(duì)電感紋波有失真.不知道有什么高見(jiàn).
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@enji2000
我電感采用兩個(gè),300w用兩個(gè)400uH的電感.取樣電流我用過(guò)兩個(gè):一個(gè)是采樣輸入電流,經(jīng)絕對(duì)值電路和反相比例,第二個(gè)是分別采樣兩開(kāi)關(guān)管電流,分別經(jīng)過(guò)一二極管,輸出點(diǎn)相同,再經(jīng)反相比例.兩種效果都不好,我感覺(jué)可能是運(yùn)放對(duì)電感紋波有失真.不知道有什么高見(jiàn).
我以前有用1150做過(guò)無(wú)橋的實(shí)驗(yàn),沒(méi)什麼問(wèn)題,1150的LAYOUT要非常小心,它對(duì)干擾是非常敏感的,查查板子是不是畫(huà)的合理.還有一點(diǎn)就是仔細(xì)檢查你的電流取樣電感的相位是不是對(duì)的.
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@enji2000
我電感采用兩個(gè),300w用兩個(gè)400uH的電感.取樣電流我用過(guò)兩個(gè):一個(gè)是采樣輸入電流,經(jīng)絕對(duì)值電路和反相比例,第二個(gè)是分別采樣兩開(kāi)關(guān)管電流,分別經(jīng)過(guò)一二極管,輸出點(diǎn)相同,再經(jīng)反相比例.兩種效果都不好,我感覺(jué)可能是運(yùn)放對(duì)電感紋波有失真.不知道有什么高見(jiàn).
這種采樣方法有以下問(wèn)題:
1、 絕對(duì)值電路的速度不夠,想采樣出線電流的紋波困難.
2、反向比例引入了相移,反饋環(huán)路無(wú)法按照常規(guī)設(shè)計(jì).
采用1150 就需要利用他峰值電流采樣的功能.也就是只需要MOSFET電流信號(hào)而不需要電感電流信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流采樣.
在無(wú)橋拓?fù)渲惺褂?個(gè)電流互感器或者帶有中心抽頭的電流互感器采樣MOSFET電流 組合到采樣電阻上實(shí)現(xiàn)電流采樣.
無(wú)橋控制的最關(guān)鍵的電流采樣就解決了.
但是由此引起的問(wèn)題是:峰值電流采樣的抗干擾能力較差.在無(wú)橋拓?fù)渲袝?huì)比較明顯.但是經(jīng)過(guò)調(diào)解應(yīng)該是可以達(dá)到很好效果的.
還有一種使用二極管的電流導(dǎo)向采樣法.損耗大.沒(méi)實(shí)用價(jià)值.
1、 絕對(duì)值電路的速度不夠,想采樣出線電流的紋波困難.
2、反向比例引入了相移,反饋環(huán)路無(wú)法按照常規(guī)設(shè)計(jì).
采用1150 就需要利用他峰值電流采樣的功能.也就是只需要MOSFET電流信號(hào)而不需要電感電流信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流采樣.
在無(wú)橋拓?fù)渲惺褂?個(gè)電流互感器或者帶有中心抽頭的電流互感器采樣MOSFET電流 組合到采樣電阻上實(shí)現(xiàn)電流采樣.
無(wú)橋控制的最關(guān)鍵的電流采樣就解決了.
但是由此引起的問(wèn)題是:峰值電流采樣的抗干擾能力較差.在無(wú)橋拓?fù)渲袝?huì)比較明顯.但是經(jīng)過(guò)調(diào)解應(yīng)該是可以達(dá)到很好效果的.
還有一種使用二極管的電流導(dǎo)向采樣法.損耗大.沒(méi)實(shí)用價(jià)值.
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@jurda
這種采樣方法有以下問(wèn)題:1、絕對(duì)值電路的速度不夠,想采樣出線電流的紋波困難.2、反向比例引入了相移,反饋環(huán)路無(wú)法按照常規(guī)設(shè)計(jì).采用1150就需要利用他峰值電流采樣的功能.也就是只需要MOSFET電流信號(hào)而不需要電感電流信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流采樣.在無(wú)橋拓?fù)渲惺褂?個(gè)電流互感器或者帶有中心抽頭的電流互感器采樣MOSFET電流組合到采樣電阻上實(shí)現(xiàn)電流采樣.無(wú)橋控制的最關(guān)鍵的電流采樣就解決了.但是由此引起的問(wèn)題是:峰值電流采樣的抗干擾能力較差.在無(wú)橋拓?fù)渲袝?huì)比較明顯.但是經(jīng)過(guò)調(diào)解應(yīng)該是可以達(dá)到很好效果的.還有一種使用二極管的電流導(dǎo)向采樣法.損耗大.沒(méi)實(shí)用價(jià)值.
jurda兄,我想兩個(gè)電流互感器是可以做到采樣電流的,但是怎么把兩個(gè)不同的電流組合在一起呢,應(yīng)該只能分別經(jīng)過(guò)一個(gè)二極管來(lái)組合啊,因?yàn)樵谳斎虢涣髡胫軙r(shí),一個(gè)管子開(kāi)關(guān)工作,另一個(gè)管子則一直處于續(xù)流狀態(tài)的,而且電流與管子電流方向是相反的.你這個(gè)組合能說(shuō)明確點(diǎn)嗎?
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@enji2000
1159365063.doc
這種方法是IR提出的采樣方法.實(shí)際中是可以使用的.但是在原理分析上這種方法并不是采樣了開(kāi)關(guān)管的實(shí)際電流波形.
仔細(xì)研究電流互感器的原理可發(fā)現(xiàn),不能將電流互感器當(dāng)成電流成比例的理想變壓器.電流互感器是因?yàn)槌跫?jí)電流引起的磁通導(dǎo)致了副邊有電流,需要考慮到磁通變化的實(shí)際方向.這樣的話,IR提出的這種方法會(huì)將反向流過(guò)體二極管的MOSFET電流也檢測(cè)出來(lái).
不過(guò)巧妙的是這種電流即使疊加到了最終的電流檢測(cè)結(jié)果上,并不會(huì)改變電流的峰值.所以1150依然可以使用這種方法工作.
一種中心抽頭的電流互感器在L4981的應(yīng)用文檔中提出來(lái),這種結(jié)構(gòu)的電流互感器可以解決無(wú)橋采樣的問(wèn)題.
你可以去ST的網(wǎng)站DOWN下來(lái)L4981做無(wú)橋的方法.里面有詳細(xì)說(shuō)明.
仔細(xì)研究電流互感器的原理可發(fā)現(xiàn),不能將電流互感器當(dāng)成電流成比例的理想變壓器.電流互感器是因?yàn)槌跫?jí)電流引起的磁通導(dǎo)致了副邊有電流,需要考慮到磁通變化的實(shí)際方向.這樣的話,IR提出的這種方法會(huì)將反向流過(guò)體二極管的MOSFET電流也檢測(cè)出來(lái).
不過(guò)巧妙的是這種電流即使疊加到了最終的電流檢測(cè)結(jié)果上,并不會(huì)改變電流的峰值.所以1150依然可以使用這種方法工作.
一種中心抽頭的電流互感器在L4981的應(yīng)用文檔中提出來(lái),這種結(jié)構(gòu)的電流互感器可以解決無(wú)橋采樣的問(wèn)題.
你可以去ST的網(wǎng)站DOWN下來(lái)L4981做無(wú)橋的方法.里面有詳細(xì)說(shuō)明.
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@jurda
這種方法是IR提出的采樣方法.實(shí)際中是可以使用的.但是在原理分析上這種方法并不是采樣了開(kāi)關(guān)管的實(shí)際電流波形.仔細(xì)研究電流互感器的原理可發(fā)現(xiàn),不能將電流互感器當(dāng)成電流成比例的理想變壓器.電流互感器是因?yàn)槌跫?jí)電流引起的磁通導(dǎo)致了副邊有電流,需要考慮到磁通變化的實(shí)際方向.這樣的話,IR提出的這種方法會(huì)將反向流過(guò)體二極管的MOSFET電流也檢測(cè)出來(lái).不過(guò)巧妙的是這種電流即使疊加到了最終的電流檢測(cè)結(jié)果上,并不會(huì)改變電流的峰值.所以1150依然可以使用這種方法工作.一種中心抽頭的電流互感器在L4981的應(yīng)用文檔中提出來(lái),這種結(jié)構(gòu)的電流互感器可以解決無(wú)橋采樣的問(wèn)題.你可以去ST的網(wǎng)站DOWN下來(lái)L4981做無(wú)橋的方法.里面有詳細(xì)說(shuō)明.
多謝,我看看去.
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@enji2000
感覺(jué)跟IR的那個(gè)方案有點(diǎn)相似,我覺(jué)得他們都有一個(gè)不可避免的缺點(diǎn),可能會(huì)引起采樣電流的失真,因?yàn)槎家ㄟ^(guò)二極管來(lái)導(dǎo)向的,如果電流采樣比例不高,在過(guò)零附近二極管是不足以導(dǎo)通的,這應(yīng)該會(huì)把電流信號(hào)削去過(guò)零處的部分吧.
實(shí)際中不太有這種問(wèn)題.電流互感器是電流型的磁性元件.后邊由于二極管的壓差不會(huì)導(dǎo)致失真的.
應(yīng)該不會(huì)有什么問(wèn)題.
應(yīng)該不會(huì)有什么問(wèn)題.
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@jurda
實(shí)際中不太有這種問(wèn)題.電流互感器是電流型的磁性元件.后邊由于二極管的壓差不會(huì)導(dǎo)致失真的.應(yīng)該不會(huì)有什么問(wèn)題.
接觸了一些關(guān)于bridgeless PFC,感覺(jué)確實(shí)對(duì)提高效率有很大優(yōu)勢(shì),我想問(wèn)各位高手得問(wèn)題是:由傳統(tǒng)PFC改進(jìn)到無(wú)橋后效率確實(shí)提高了, 但是有兩個(gè)致命得缺點(diǎn)
1.在過(guò)EMI時(shí)很困難,會(huì)不會(huì)因?yàn)橐^(guò)EMI(對(duì)EMI改進(jìn))而使增加的效率被拉下來(lái),從而得不償失呢?
2.控制比較復(fù)雜,電路的可靠性降低
基于這兩個(gè)方面,我一直對(duì)這個(gè)技術(shù)的先進(jìn)性很猶豫,而且目前很沒(méi)有那家公司真正導(dǎo)入產(chǎn)品,主要原因還是EMI的問(wèn)題.
1.在過(guò)EMI時(shí)很困難,會(huì)不會(huì)因?yàn)橐^(guò)EMI(對(duì)EMI改進(jìn))而使增加的效率被拉下來(lái),從而得不償失呢?
2.控制比較復(fù)雜,電路的可靠性降低
基于這兩個(gè)方面,我一直對(duì)這個(gè)技術(shù)的先進(jìn)性很猶豫,而且目前很沒(méi)有那家公司真正導(dǎo)入產(chǎn)品,主要原因還是EMI的問(wèn)題.
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@aileen888
接觸了一些關(guān)于bridgelessPFC,感覺(jué)確實(shí)對(duì)提高效率有很大優(yōu)勢(shì),我想問(wèn)各位高手得問(wèn)題是:由傳統(tǒng)PFC改進(jìn)到無(wú)橋后效率確實(shí)提高了,但是有兩個(gè)致命得缺點(diǎn)1.在過(guò)EMI時(shí)很困難,會(huì)不會(huì)因?yàn)橐^(guò)EMI(對(duì)EMI改進(jìn))而使增加的效率被拉下來(lái),從而得不償失呢?2.控制比較復(fù)雜,電路的可靠性降低 基于這兩個(gè)方面,我一直對(duì)這個(gè)技術(shù)的先進(jìn)性很猶豫,而且目前很沒(méi)有那家公司真正導(dǎo)入產(chǎn)品,主要原因還是EMI的問(wèn)題.
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