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求助:為什么MOS在關(guān)斷的時候振得那么厲害?

各位大蝦:本人做的一款200W的反激電源,不知為什么MOS在關(guān)斷的時候振得那么厲害?(圖中方框所示),這跟電路的什么參數(shù)有關(guān),謝謝!
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funyang
LV.3
2
2006-09-20 17:06
變壓器應(yīng)該是妳自己設(shè)計或者繞制的吧﹐原邊漏感太大了﹒不然就是妳的MOSFET結(jié)電容太大﹒
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jalone
LV.3
3
2006-09-21 10:01
@funyang
變壓器應(yīng)該是妳自己設(shè)計或者繞制的吧﹐原邊漏感太大了﹒不然就是妳的MOSFET結(jié)電容太大﹒
變壓器是我們自己繞的,漏感應(yīng)該是比較大,結(jié)電容不怎么大啊,跟一般的MOS(FQA11N90C)沒有什么區(qū)別啊,我再改一下變壓器試一下,
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hjjk
LV.6
4
2006-09-21 10:24
@jalone
變壓器是我們自己繞的,漏感應(yīng)該是比較大,結(jié)電容不怎么大啊,跟一般的MOS(FQA11N90C)沒有什么區(qū)別啊,我再改一下變壓器試一下,
變壓器的磁芯氣隙太大啦..............
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cyyzej
LV.7
5
2006-09-21 11:27
@hjjk
變壓器的磁芯氣隙太大啦..............
方框里的不應(yīng)該是氣息大的問題  ,應(yīng)該是漏感問題吧
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hjjk
LV.6
6
2006-09-21 11:36
@cyyzej
方框里的不應(yīng)該是氣息大的問題  ,應(yīng)該是漏感問題吧
變壓器感量的問題,以前試過..
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jalone
LV.3
7
2006-09-21 11:39
@hjjk
變壓器的磁芯氣隙太大啦..............
我減小了氣隙還是沒有改變,不過重新繞了一個變壓器,應(yīng)該是漏感減小,有所改善1158809906.tif
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2006-09-21 11:39
輸出電壓多少啊
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lee_sun
LV.4
9
2006-09-21 11:52
漏感問題.怎么繞制的?
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jalone
LV.3
10
2006-09-21 12:35
@sealand_1981
輸出電壓多少啊
200V/1A
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jalone
LV.3
11
2006-09-21 12:37
@lee_sun
漏感問題.怎么繞制的?
初級包次級
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gjhsz
LV.5
12
2006-09-21 13:24
吸收回路影響比較大
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2006-09-21 13:35
@jalone
初級包次級
您用的是三明治繞法吧
三明治繞法就是專門用來減小漏感的
你測變壓器的漏感了嗎
您上傳的波形是輕載還是滿載情況啊?
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jalone
LV.3
14
2006-09-21 15:10
@sealand_1981
您用的是三明治繞法吧三明治繞法就是專門用來減小漏感的你測變壓器的漏感了嗎您上傳的波形是輕載還是滿載情況啊?
沒有測,我們這里沒測試的設(shè)備,我上傳的第一個波形是輕載的,后一個是滿載的
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jalone
LV.3
15
2006-09-21 15:11
@gjhsz
吸收回路影響比較大
改吸收沒多大的效果,試過
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jalone
LV.3
16
2006-09-21 15:14
此圖是在輕載的情況下的,如是滿載,VPP大概有960V左右,而方框里的振幅加大了
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lee_sun
LV.4
17
2006-09-21 16:04
@jalone
此圖是在輕載的情況下的,如是滿載,VPP大概有960V左右,而方框里的振幅加大了
你變壓器的初級電感是多少?
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gjhsz
LV.5
18
2006-09-21 16:10
@jalone
改吸收沒多大的效果,試過
1.振蕩的幅值主要由漏感的大小,工作電流大小及吸收回路共同決定.
2.振蕩頻率由漏感與寄生電容(變壓器+MOS...)決定,但采用在吸收二極管上加磁珠及使用慢速的二極管會使振蕩減弱甚至成為阻尼振蕩.
3.功率大于50W的AC-DC變換器吸收回路中應(yīng)慎用慢速二極管.
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gjhsz
LV.5
19
2006-09-21 16:25
@jalone
此圖是在輕載的情況下的,如是滿載,VPP大概有960V左右,而方框里的振幅加大了
哪里用的電源?什么輸入條件?何故次級反射電壓選那么高250V?如是空載測的那變壓器的漏感也太大了.
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jalone
LV.3
20
2006-09-22 08:41
@gjhsz
哪里用的電源?什么輸入條件?何故次級反射電壓選那么高250V?如是空載測的那變壓器的漏感也太大了.
Lp=520uH,Input=380Vdc,PDP三星V5屏用,
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funyang
LV.3
21
2006-09-27 15:20
@jalone
Lp=520uH,Input=380Vdc,PDP三星V5屏用,
1﹒漏感大﹐注意采用三明治繞法﹐走線均勻排布﹐磁芯和氣隙選擇合適﹒
2﹒輸出側(cè)整流二極管上沒有并聯(lián)RC﹐就是一般使用2﹒2KP電容和2﹒2歐姆(當(dāng)然不同電路值有所區(qū)別)
3﹒MOS驅(qū)動電阻太小﹒
4﹒所使用的RCD吸收用二極管和輸出側(cè)二極管反向恢復(fù)時間過長﹒
以上原因基本會導(dǎo)致此現(xiàn)象﹐去驗証是以上哪相引起的吧﹒
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lijun4545
LV.4
22
2006-09-29 14:22
@jalone
我減小了氣隙還是沒有改變,不過重新繞了一個變壓器,應(yīng)該是漏感減小,有所改善1158809906.tif
明顯是緩沖電路沒有設(shè)計好
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2006-09-29 16:27
可將吸收回路中的電容加大,還有一個問題是從波形上看有點不正常,振鈴幅度太大了,不是初級電感量偏大就是MOSFET輸出電容偏大.
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xulijun
LV.3
24
2006-09-30 17:34
@求知星際
可將吸收回路中的電容加大,還有一個問題是從波形上看有點不正常,振鈴幅度太大了,不是初級電感量偏大就是MOSFET輸出電容偏大.
第一個圖片是在DCM模式,第二個圖片是在CCM模式,
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