如從反激中

 1、如MOSFET的D極起繞的話，骨架的第一層先繞上屏蔽，然后再從MOSFET的D極起繞。

2、如大電解的正極端起繞的話，第一層不屏蔽。

3、如MOSFET的D極起繞的話，第一層不屏蔽。

以上如果從EMI的角度來說，可以的話具體分析一下這三種的利與弊。具體那一種好一點，還是具體問題具體分析。

因為我看到有很多做的小功率的都是用的第三種的。

 常說熱點與冷點起繞。

第一種指的是冷點起繞嗎？

第二種指的是熱點起繞嗎？