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電源技術(shù)綜合區(qū)
半橋LLC問題請教二
半橋LLC問題請教二
半橋LLC采用磁集成變壓器,變壓器次級采用中心抽頭結(jié)構(gòu),次級漏感一個(gè)為300uH,另一個(gè)為320uH,不對稱,這樣對LLC電源的影響大嗎?可能會有那些影響?O(∩_∩)O謝謝
全部回復(fù)(8)
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現(xiàn)在還沒有回復(fù)呢,說說你的想法
fjfhjmh
LV.9
2
2013-01-05 11:03
不會有太大影響
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fly
3
2013-01-05 11:25
會有些影響,諧振電流波形會不對稱,輸出二極管的損耗會有些差別。
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fjfhjmh
LV.9
4
2013-01-05 11:29
@fly
會有些影響,諧振電流波形會不對稱,輸出二極管的損耗會有些差別。
波形基本不會變吧
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fly
5
2013-01-05 11:51
@fjfhjmh
波形基本不會變吧
會有影響
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jacs
LV.2
6
2013-01-05 13:01
@fly
會有影響
您好,謝謝您的回復(fù),上述情況:
次級漏感一個(gè)為300uH,另一個(gè)為320uH,不對稱,
在LLC中,會對半橋MOS管的占空比有影響嗎?會不會使半橋MOS管的占空比 一個(gè)增大,一個(gè)減小?O(∩_∩)O謝謝
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風(fēng)通過后的今天
LV.5
7
2013-01-05 13:55
實(shí)際因繞制工藝而引起的誤差,只能盡量減小,不可避免。對機(jī)器影響不會很大。
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A級MOS大全
LV.7
8
2013-01-05 14:06
@jacs
您好,謝謝您的回復(fù),上述情況:次級漏感一個(gè)為300uH,另一個(gè)為320uH,不對稱, 在LLC中,會對半橋MOS管的占空比有影響嗎?會不會使半橋MOS管的占空比 一個(gè)增大,一個(gè)減?。縊(∩_∩)O謝謝
占位學(xué)習(xí)
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fjfhjmh
LV.9
9
2013-01-05 14:15
@風(fēng)通過后的今天
實(shí)際因繞制工藝而引起的誤差,只能盡量減小,不可避免。對機(jī)器影響不會很大。
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