我繞了個(gè)EE85加厚磁芯驅(qū)動(dòng)芯片是3525加圖騰,6對(duì)75V210A的MOS管。初級(jí)0.4厚*25寬的的銅皮三層2T*2,但是空載磁芯發(fā)熱嚴(yán)重且24V輸入時(shí)電流在800MA左右12V時(shí)300多MA,頻率是20KH左右,死區(qū)電阻150歐。調(diào)高頻率24V供電時(shí)電流可以在400MA以下,但是就出現(xiàn)尖峰了,加大死區(qū)電阻尖峰可以去除但這樣一來(lái)空載電流是小了磁芯發(fā)熱也小了,但占空比也小了。我不是怕尖峰激穿管子,而是有尖峰的話輸出的電壓就么虛高,我用的是開(kāi)環(huán)電路。我發(fā)幾個(gè)波形圖,所以波形都是在不加吸收電路的情況下測(cè)的。
這是圖騰柱輸出的波形
這是頻率20KH左右死區(qū)電阻150時(shí)MOS管源極的波形,本來(lái)這個(gè)我很滿意了,可惜空載電流太大,磁芯發(fā)熱也大。
這是頻率50KH左右的波形24V空載電流在400MA以下時(shí)的波形,磁芯發(fā)熱也不明顯了,但是尖峰…………就算加吸收電路也不能完全的去除
這是50KH左右,把死區(qū)電阻調(diào)到了250歐左右的波形尖峰沒(méi)了,但是占空比小了,我怕輸出功率達(dá)不到。求高人出出手幫我分析分析,該怎么辦,小弟感激不盡!