小弟最近在研究驅動電機的方法,下面是我的兩張圖,第一張是H橋的左橋臂,第二張是驅動芯片外圍電路。
在調試的過程中發(fā)現很容易燒驅動芯片,而MOS管完好無損。
在示波器上看MOS管的關斷時間為600ns,而我同學做的同樣的板子,同樣的MOS管,其關斷時間是1us。(他的板子不會燒驅動芯片)
我推測了下,可能的原因就是:
我的MOS管死區(qū)時間過短,S級的電荷釋放過快,本來應該通過G級與S級之間的電阻來釋放電荷的,卻通過LO線上的肖特基二極管釋放了,從而燒毀驅動芯片
所以現在有兩個疑問:
1、G級與S級之間的電阻應該怎樣選擇?我選的47K是不是過大了?(問了一個同樣做H橋的同學,他一般用的4.7K或者10K)
2、HO,LO輸出端接的肖特基二級管的作用是什么呀?
求大神不吝賜教!
我同學的MOS管關斷時間(MOS管型號一樣,上面的標示符不一樣)