FSQ0365RN 其實(shí)我這個(gè)就是為了替代原先的FSDM0365而采用的FSC新推出的FSD0365
參考文檔 輸入85-265VAC
輸出5V/3A
先上傳器件資料占個(gè)坑。待有空時(shí)逐漸完善。
本貼調(diào)試目的就是提高效率，而且解決輕載時(shí)紋波和噪聲。
【調(diào)試中的小插曲】+FSQ0365替代FSDM0365做5V3A全電壓輸入輕載紋波及效率+091+2166
全部回復(fù)(34)
正序查看
倒序查看
@dulai1985
[圖片]
這個(gè)芯片的特色上貼說(shuō)了有先進(jìn)準(zhǔn)諧振功能，檢測(cè)開關(guān)管谷底導(dǎo)通，減少開通損耗，同時(shí)次級(jí)二極管零電流關(guān)斷，而在低壓重負(fù)載時(shí)可設(shè)計(jì)在CCM。在低壓重載時(shí)MOS的導(dǎo)通電阻損耗占多數(shù)，高壓輸入時(shí)的開關(guān)損耗占多數(shù)。這樣做可盡可能提高效率。
在負(fù)載極小到空載時(shí)工作在突發(fā)模式，降低開關(guān)頻率，減小開關(guān)損耗開關(guān)損耗與工作頻率相關(guān)。但大家可能都遇到過(guò)在這種模式下經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)可聞的噪聲和紋波忽然變大好多。
本貼調(diào)試目的就是提高效率，而且解決輕載時(shí)紋波和噪聲。
0
回復(fù)
@zhenxiang
這個(gè)芯片的特色上貼說(shuō)了有先進(jìn)準(zhǔn)諧振功能，檢測(cè)開關(guān)管谷底導(dǎo)通，減少開通損耗，同時(shí)次級(jí)二極管零電流關(guān)斷，而在低壓重負(fù)載時(shí)可設(shè)計(jì)在CCM。在低壓重載時(shí)MOS的導(dǎo)通電阻損耗占多數(shù)，高壓輸入時(shí)的開關(guān)損耗占多數(shù)。這樣做可盡可能提高效率。在負(fù)載極小到空載時(shí)工作在突發(fā)模式，降低開關(guān)頻率，減小開關(guān)損耗開關(guān)損耗與工作頻率相關(guān)。但大家可能都遇到過(guò)在這種模式下經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)可聞的噪聲和紋波忽然變大好多。本貼調(diào)試目的就是提高效率，而且解決輕載時(shí)紋波和噪聲。
有紋波的照片嗎？改善前的，改善后的~~
0
回復(fù)
@dulai1985
[圖片]
先說(shuō)個(gè)調(diào)試中的小插曲吧，當(dāng)時(shí)焊接完上電輸出和帶負(fù)載能力正常，但是帶負(fù)載輸出紋波超大接近600MV，波形頻率穩(wěn)定已進(jìn)入PWM控制模式。調(diào)試好久才發(fā)現(xiàn)在輸出派型濾波電感后面的電容一只引腳的過(guò)孔盡然沒(méi)有金屬化，在焊接面看著是焊上了，但沒(méi)聯(lián)通到走線面。導(dǎo)致這個(gè)電容根本就沒(méi)起作用。
下帖開始詳細(xì)敘述減小空載和輕載紋波，及提升效率。
0
回復(fù)
@zhenxiang
先說(shuō)個(gè)調(diào)試中的小插曲吧，當(dāng)時(shí)焊接完上電輸出和帶負(fù)載能力正常，但是帶負(fù)載輸出紋波超大接近600MV，波形頻率穩(wěn)定已進(jìn)入PWM控制模式。調(diào)試好久才發(fā)現(xiàn)在輸出派型濾波電感后面的電容一只引腳的過(guò)孔盡然沒(méi)有金屬化，在焊接面看著是焊上了，但沒(méi)聯(lián)通到走線面。導(dǎo)致這個(gè)電容根本就沒(méi)起作用。下帖開始詳細(xì)敘述減小空載和輕載紋波，及提升效率。
FPS_design_flyback_1.25_web 上傳我這個(gè)電源的變壓器設(shè)計(jì)表格。最終變壓器就是按這個(gè)參數(shù)做的，調(diào)試效率5V/3A 220V輸入時(shí)0.81
0
回復(fù)
@zhenxiang
[圖片]FPS_design_flyback_1.25_web 上傳我這個(gè)電源的變壓器設(shè)計(jì)表格。最終變壓器就是按這個(gè)參數(shù)做的，調(diào)試效率5V/3A 220V輸入時(shí)0.81
Schematic Prints 上菜了 原理圖出來(lái)了
0
回復(fù)
@zhenxiang
[圖片] [圖片]SchematicPrints 上菜了原理圖出來(lái)了
調(diào)試中的小插曲首先考慮效率問(wèn)題；
在計(jì)算變壓器時(shí)有個(gè)問(wèn)題其實(shí)一直也在困擾我不知大伙是怎么看的；
這種集成MOS的控制器大多是內(nèi)部限定死了最大峰值電流，這個(gè)電流值與MOS導(dǎo)通壓降有關(guān)。那么為了提高效率我選用導(dǎo)通小的，如我選的這個(gè)FSQ0365是Rds 3.5歐，峰值電流限制 IP=1.5A。 按照設(shè)計(jì)表格在峰值電流限制欄應(yīng)該填入1.5A。 這樣設(shè)計(jì)出的電感量和匝數(shù)就是在峰值電流1.5A時(shí)保證不飽和的電感量和匝數(shù)。 有個(gè)問(wèn)題如果我們這個(gè)電源實(shí)際功率很小，實(shí)際工作峰值電流遠(yuǎn)沒(méi)達(dá)到芯片峰值電流限制值。問(wèn)題1 過(guò)功率和短路保護(hù)功耗大，2變換器效率低。但如果按實(shí)際輸出功率計(jì)算出的峰值電流IP計(jì)算電感量和匝數(shù)的話變換器在上電瞬間，過(guò)負(fù)載，短路等情況時(shí)可能會(huì)進(jìn)入飽和。
文筆不好可能描述的不清楚，有什么疑問(wèn)我們?cè)儆懻摗?/p>
0
回復(fù)
@zhenxiang
調(diào)試中的小插曲首先考慮效率問(wèn)題；在計(jì)算變壓器時(shí)有個(gè)問(wèn)題其實(shí)一直也在困擾我不知大伙是怎么看的；這種集成MOS的控制器大多是內(nèi)部限定死了最大峰值電流，這個(gè)電流值與MOS導(dǎo)通壓降有關(guān)。那么為了提高效率我選用導(dǎo)通小的，如我選的這個(gè)FSQ0365是Rds3.5歐，峰值電流限制 IP=1.5A。按照設(shè)計(jì)表格在峰值電流限制欄應(yīng)該填入1.5A。這樣設(shè)計(jì)出的電感量和匝數(shù)就是在峰值電流1.5A時(shí)保證不飽和的電感量和匝數(shù)。有個(gè)問(wèn)題如果我們這個(gè)電源實(shí)際功率很小，實(shí)際工作峰值電流遠(yuǎn)沒(méi)達(dá)到芯片峰值電流限制值。問(wèn)題1過(guò)功率和短路保護(hù)功耗大，2變換器效率低。但如果按實(shí)際輸出功率計(jì)算出的峰值電流IP計(jì)算電感量和匝數(shù)的話變換器在上電瞬間，過(guò)負(fù)載，短路等情況時(shí)可能會(huì)進(jìn)入飽和。文筆不好可能描述的不清楚，有什么疑問(wèn)我們?cè)儆懻摗?/span>
不是很明白，幫你頂一個(gè)，加油
0
回復(fù)
@zhenxiang
調(diào)試中的小插曲首先考慮效率問(wèn)題；在計(jì)算變壓器時(shí)有個(gè)問(wèn)題其實(shí)一直也在困擾我不知大伙是怎么看的；這種集成MOS的控制器大多是內(nèi)部限定死了最大峰值電流，這個(gè)電流值與MOS導(dǎo)通壓降有關(guān)。那么為了提高效率我選用導(dǎo)通小的，如我選的這個(gè)FSQ0365是Rds3.5歐，峰值電流限制 IP=1.5A。按照設(shè)計(jì)表格在峰值電流限制欄應(yīng)該填入1.5A。這樣設(shè)計(jì)出的電感量和匝數(shù)就是在峰值電流1.5A時(shí)保證不飽和的電感量和匝數(shù)。有個(gè)問(wèn)題如果我們這個(gè)電源實(shí)際功率很小，實(shí)際工作峰值電流遠(yuǎn)沒(méi)達(dá)到芯片峰值電流限制值。問(wèn)題1過(guò)功率和短路保護(hù)功耗大，2變換器效率低。但如果按實(shí)際輸出功率計(jì)算出的峰值電流IP計(jì)算電感量和匝數(shù)的話變換器在上電瞬間，過(guò)負(fù)載，短路等情況時(shí)可能會(huì)進(jìn)入飽和。文筆不好可能描述的不清楚，有什么疑問(wèn)我們?cè)儆懻摗?/span>
這個(gè)效率點(diǎn)我感覺(jué)變壓器那優(yōu)化的作用意義不是很大了，而在你次級(jí)的整流部分是可以優(yōu)化下的，比方用次級(jí)同步整流。你3A的輸出，在低壓情況下就算你的整流管的管壓降很低，在整個(gè)效率里邊占很大一部分的損耗了，估計(jì)你的15W在10個(gè)百分點(diǎn)左右·····
0
回復(fù)
@dulai1985
必須把你的基準(zhǔn)電壓控制好~~~
樓上不明白你說(shuō)的什么基準(zhǔn)電壓。還有老梁我提的這個(gè)變壓器IP值的問(wèn)題主要是想了解對(duì)于這個(gè)問(wèn)題你們是怎么考慮的。因?yàn)槿绻谄渌桓淖兦闆r下按實(shí)際計(jì)算IP值選電感量的話電感量就大，電源重載時(shí)CCM，導(dǎo)通損耗小。而如果按芯片規(guī)定的IP計(jì)算電感量的話電感量肯定小，有可能的工作在DCM ，峰值電流大，導(dǎo)通損耗大。 暫時(shí)先不管開關(guān)損耗。
0
回復(fù)
@zhenxiang
樓上不明白你說(shuō)的什么基準(zhǔn)電壓。還有老梁我提的這個(gè)變壓器IP值的問(wèn)題主要是想了解對(duì)于這個(gè)問(wèn)題你們是怎么考慮的。因?yàn)槿绻谄渌桓淖兦闆r下按實(shí)際計(jì)算IP值選電感量的話電感量就大，電源重載時(shí)CCM，導(dǎo)通損耗小。而如果按芯片規(guī)定的IP計(jì)算電感量的話電感量肯定小，有可能的工作在DCM，峰值電流大，導(dǎo)通損耗大。暫時(shí)先不管開關(guān)損耗。
這個(gè)看你具體要工作的CCM還是DCM狀態(tài)了，要是IP值取的太小，雖然可以減小點(diǎn)損耗，但變壓器容易飽和，而且系統(tǒng)也不好穩(wěn)定，要是取的太大，就工作在了DCM。所以這個(gè)要這種考慮的。
0
回復(fù)
@老梁頭
這個(gè)看你具體要工作的CCM還是DCM狀態(tài)了，要是IP值取的太小，雖然可以減小點(diǎn)損耗，但變壓器容易飽和，而且系統(tǒng)也不好穩(wěn)定，要是取的太大，就工作在了DCM。所以這個(gè)要這種考慮的。
老梁說(shuō)的對(duì)，這個(gè)電源對(duì)效率影響最大的是輸出肖特基二極管。
按我上面的變壓器參數(shù)計(jì)算二極管反向耐壓最高為30V，我現(xiàn)在選的是ON的MBRD835LG,8A,35V導(dǎo)通壓降0.41V ，耐壓余量不太足。各位覺(jué)得呢。實(shí)測(cè)最高輸入時(shí)管子上反向電壓接近40V。
0
回復(fù)
@zhenxiang
老梁說(shuō)的對(duì)，這個(gè)電源對(duì)效率影響最大的是輸出肖特基二極管。按我上面的變壓器參數(shù)計(jì)算二極管反向耐壓最高為30V，我現(xiàn)在選的是ON的MBRD835LG,8A,35V導(dǎo)通壓降0.41V ，耐壓余量不太足。各位覺(jué)得呢。實(shí)測(cè)最高輸入時(shí)管子上反向電壓接近40V。
推薦一顆P20L45D，貼片TO-252，VF=0.26@3A,125Cpfc_P20L45D Preliminary V 0
pfc_P20L45D Preliminary V 0 0
回復(fù)
@worldgj
推薦一顆P20L45D，貼片TO-252，VF=0.26@3A,125C[圖片]pfc_P20L45DPreliminaryV0
設(shè)計(jì)這個(gè)電源對(duì)于效率的提升，終結(jié)的經(jīng)驗(yàn)是，通過(guò)調(diào)整電感量使低壓滿負(fù)載時(shí)設(shè)計(jì)工作在CCM模式，帶輸入上升至165V是進(jìn)入臨界導(dǎo)通模式，165V以上時(shí)芯片變頻進(jìn)入準(zhǔn)諧振模式,通過(guò)調(diào)整R7 C8充電時(shí)間，使DS波形在震蕩的最低點(diǎn)即谷底導(dǎo)通。
C8上并的二極管箝位負(fù)向電壓，不能省掉我已開始調(diào)試時(shí)沒(méi)有裝，導(dǎo)致重載帶不起載，
另一點(diǎn)在DS電壓可控的前提下盡量提高占空比大的反射電壓容易使諧振時(shí)的谷底更低，開通損耗更小。
0
回復(fù)
