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軟開關(guān)的電路驅(qū)動信號用什么做？

如題，能不能給幾個電路看看
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2012-10-09 12:10
什么意思？？MOS的驅(qū)動都是一樣的啊
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lishaobin
LV.4
3
2012-10-09 13:31
軟開關(guān)是在時序上和硬開關(guān)有差異，在驅(qū)動電路上是沒有區(qū)別的，我們看看驅(qū)動電路的作用是什么，1、提供足夠大的驅(qū)動電流，來滿足MOS管結(jié)電容的快速沖放電。2、滿足一些特定的隔離要求，如BUCK開關(guān)驅(qū)動，半橋的上管驅(qū)動，正激有源鉗位的鉗位管驅(qū)動。
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alai4
LV.6
4
2012-10-10 10:18
@lishaobin
軟開關(guān)是在時序上和硬開關(guān)有差異，在驅(qū)動電路上是沒有區(qū)別的，我們看看驅(qū)動電路的作用是什么，1、提供足夠大的驅(qū)動電流，來滿足MOS管結(jié)電容的快速沖放電。2、滿足一些特定的隔離要求，如BUCK開關(guān)驅(qū)動，半橋的上管驅(qū)動，正激有源鉗位的鉗位管驅(qū)動。
一般都是拓?fù)涞碾娐穲D，沒有完整的電源圖，零電壓零電流是通過怎樣的處理得到控制信號？還有（輸出功率）占空比控制
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lishaobin
LV.4
5
2012-10-11 08:51
@alai4
一般都是拓?fù)涞碾娐穲D，沒有完整的電源圖，零電壓零電流是通過怎樣的處理得到控制信號？還有（輸出功率）占空比控制

其實我也沒有真正做過軟開關(guān)，當(dāng)然如果正激有源鉗位算的話，我倒是做了比較多了，不管是移相全橋還是LLC，其原理都是差不多的，首先是控制芯片具備調(diào)節(jié)各驅(qū)動之間的死區(qū)時間的能力，零電壓開通就是在勵磁電流逐漸變小，到過零以后，也就是某個開關(guān)管的電流是由S流到D，這時VDS上的電壓為零，我們通過調(diào)節(jié)死區(qū)時間，讓該管的驅(qū)動信號在這個階段開通，就可以實現(xiàn)零電壓開通。

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bode
LV.9
6
2012-10-11 18:29
@lishaobin
其實我也沒有真正做過軟開關(guān)，當(dāng)然如果正激有源鉗位算的話，我倒是做了比較多了，不管是移相全橋還是LLC，其原理都是差不多的，首先是控制芯片具備調(diào)節(jié)各驅(qū)動之間的死區(qū)時間的能力，零電壓開通就是在勵磁電流逐漸變小，到過零以后，也就是某個開關(guān)管的電流是由S流到D，這時VDS上的電壓為零，我們通過調(diào)節(jié)死區(qū)時間，讓該管的驅(qū)動信號在這個階段開通，就可以實現(xiàn)零電壓開通。
是的。軟開關(guān)來說要滿足兩個條件：有足夠的時間過零，有足夠的能量過零。
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alai4
LV.6
7
2012-10-12 08:24
@bode
是的。軟開關(guān)來說要滿足兩個條件：有足夠的時間過零，有足夠的能量過零。
現(xiàn)在好多電源都是用硬開關(guān)IGBT來做，頻率不高，如果用軟開關(guān)有什么壞處沒有？
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lishaobin
LV.4
8
2012-10-12 10:26
@alai4
現(xiàn)在好多電源都是用硬開關(guān)IGBT來做，頻率不高，如果用軟開關(guān)有什么壞處沒有？
目前LLC和正激有源鉗位都有共同的缺點，動態(tài)特性差，但它們高效率和低噪音的優(yōu)勢也非常有競爭力。IGBT這種東西我沒有用過，沒有做過這么大功率的東東。
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bode
LV.9
9
2012-10-12 17:52
@alai4
現(xiàn)在好多電源都是用硬開關(guān)IGBT來做，頻率不高，如果用軟開關(guān)有什么壞處沒有？
IGBT的電流拖尾比較嚴(yán)重，常用ZCS零電流來做。
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bode
LV.9
10
2012-10-12 17:55
@lishaobin
目前LLC和正激有源鉗位都有共同的缺點，動態(tài)特性差，但它們高效率和低噪音的優(yōu)勢也非常有競爭力。IGBT這種東西我沒有用過，沒有做過這么大功率的東東。

LLC動態(tài)特性差，何以得出這個結(jié)論？

正激有源嵌位的動態(tài)特性跟嵌位電容的大小有關(guān)，電容越大，動態(tài)特性越差。

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alai4
LV.6
11
2012-10-13 08:28
@bode
IGBT的電流拖尾比較嚴(yán)重，常用ZCS零電流來做。
如果頻率比較低的硬開關(guān)呢？這樣簡單啊
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bode
LV.9
12
2012-10-13 09:39
@alai4
如果頻率比較低的硬開關(guān)呢？這樣簡單啊
開關(guān)損耗跟頻率近似成正比的，軟開關(guān)的優(yōu)勢就在于它可以提高開關(guān)頻率，而磁性器件體積沒有增大。
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alai4
LV.6
13
2012-10-13 10:03
@bode
開關(guān)損耗跟頻率近似成正比的，軟開關(guān)的優(yōu)勢就在于它可以提高開關(guān)頻率，而磁性器件體積沒有增大。
會不會存在使用了軟開關(guān)，輸出也變?nèi)趿耍?/div>
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bode
LV.9
14
2012-10-13 11:19
@alai4
會不會存在使用了軟開關(guān)，輸出也變?nèi)趿耍?/span>
怎么會呢？現(xiàn)在流行的LLC和移相全橋，做的都是中大功率。
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alai4
LV.6
15
2012-10-15 08:27
@bode
怎么會呢？現(xiàn)在流行的LLC和移相全橋，做的都是中大功率。
也就是說都像軟開關(guān)方向發(fā)展了
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bode
LV.9
16
2012-10-15 18:32
@alai4
也就是說都像軟開關(guān)方向發(fā)展了

這也不一定。

軟開關(guān)是基于半導(dǎo)體器件發(fā)展的，假設(shè)有一天，MOS管的Ron可以做到很小。軟開關(guān)就沒必要了。

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