
【2024年6月25日,德國慕尼黑訊】隨著人工智能(AI)處理器對功率的要求日益提高,服務(wù)器電源(PSU)必須在不超出服務(wù)器機架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率,這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末,每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應(yīng)用和相關(guān)特定客戶需求的出現(xiàn),促使英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品?,F(xiàn)在,英飛凌基于今年早些時候發(fā)布的第二代(G2)CoolSiCTM技術(shù),推出全新CoolSiC? MOSFET 400 V系列。全新MOSFET產(chǎn)品組合專為AI服務(wù)器的AC/DC級開發(fā),是對英飛凌最近公布的PSU路線圖的補充。該系列器件還適用于太陽能和儲能系統(tǒng)(ESS)、變頻電機控制、工業(yè)和輔助電源(SMPS)以及住宅建筑固態(tài)斷路器。
CoolSiC? MOSFET 400 V TO-Leadless
英飛凌功率系統(tǒng)業(yè)務(wù)線負責人Richard Kuncic 表示:“英飛凌提供的豐富高性能MOSFET和GaN晶體管產(chǎn)品組合能夠滿足AI服務(wù)器電源對設(shè)計和空間的苛刻要求。我們致力于通過CoolSiC? MOSFET 400 V G2等先進產(chǎn)品為客戶提供支持,推動先進AI應(yīng)用實現(xiàn)最高能效?!?
與現(xiàn)有的650 V SiC和Si MOSFET相比,新系列具有超低的傳導和開關(guān)損耗。這款AI服務(wù)器電源裝置的AC/DC級采用多級PFC,功率密度達到100 W/in3以上,并且效率達到99.5%,較使用650 V SiC MOSFET的解決方案提高了0.3個百分點。此外,由于在DC/DC級采用了CoolGaN?晶體管,其系統(tǒng)解決方案得以完善。通過這一高性能MOSFET與晶體管組合,該電源可提供8千瓦以上的功率,功率密度較現(xiàn)有解決方案提高了3倍以上。
全新MOSFET產(chǎn)品組合共包含10款產(chǎn)品:5款RDS(on) 級(11至45 mΩ)產(chǎn)品采用開爾文源TOLL和 D2PAK-7 封裝以及.XT 封裝互連技術(shù)。在Tvj = 25°C 時,其漏極-源極擊穿電壓為400 V,因此非常適合用于2級和3級轉(zhuǎn)換器以及同步整流。這些元件在苛刻的開關(guān)條件下具有很高的穩(wěn)健性,并且通過了100%的雪崩測試。高度穩(wěn)健的CoolSiC?技術(shù)與.XT互連技術(shù)相結(jié)合,使這些半導體器件能夠應(yīng)對AI處理器功率要求突變所造成的功率峰值和瞬態(tài),并且憑借連接技術(shù)和低正 RDS(on) 溫度系數(shù),即便在結(jié)溫較高的工作條件下也能發(fā)揮出色的性能。
供貨情況
CoolSiC? MOSFET 400 V產(chǎn)品組合的工程樣品現(xiàn)已發(fā)布,并將于 2024年10月開始量產(chǎn)。更多信息,敬請訪問:www.infineon.com/coolsic-gen2。進一步了解英飛凌SiC、GaN和Si AI電源裝置解決方案,敬請訪問www.infineon.com/AI-PSU。
關(guān)于英飛凌
英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進程。該公司在全球擁有約58,600名員工,在2023財年(截至9月30日)的營收約為163億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。
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英飛凌中國
英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。
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