
中國 北京,2024 年 6 月 12 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo®(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布,率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅(SiC)結(jié)型場效應晶體管(JFET)——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護應用而設計,UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優(yōu)點在上述應用中至關重要。
UJ4N075004L8S 的導通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ,是業(yè)內(nèi)采用標準分立封裝的 650V 至 750V 等級功率器件中導通電阻最低的器件。較低的導通電阻使發(fā)熱量顯著降低,加之緊湊的 TOLL 封裝,使解決方案的尺寸比 TO-263 封裝的同類產(chǎn)品小 40%。新品可應對目前電磁式斷路器對有限空間尺寸的所有要求,且無需復雜的冷卻系統(tǒng)即可運行,加速從電磁式斷路器向基于半導體的固態(tài)斷路器(SSCB)的轉(zhuǎn)型。
“隨著 UJ4N075004L8S 的推出,Qorvo 將繼續(xù)領導 SiC 電源產(chǎn)品的創(chuàng)新,以超小型元件封裝的超低導通電阻 FET 器件助力電路保護等應用的發(fā)展?!盦orvo SiC 電源產(chǎn)品業(yè)務產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示,“SSCB 市場正迅速增長,Qorvo 的最新產(chǎn)品是這一技術演進中的重要里程碑?!?
Qorvo 的 JFET 器件堅固耐用,能夠在電路故障時承受極高的浪涌電流并實現(xiàn)關斷,非常適合應對電路保護領域的挑戰(zhàn)。其最新款 JFET 還能承受高瞬時結(jié)溫而不發(fā)生性能劣化或參數(shù)漂移。JFET 的常開特性使其能無縫集成到默認導通狀態(tài)的系統(tǒng)中,并在故障條件下轉(zhuǎn)為關斷狀態(tài)。
UJ4N075004L8S 現(xiàn)已提供樣品,并將于 2024 年第四季度投入量產(chǎn);屆時,Qorvo 還將推出更多 JFET 產(chǎn)品,包括額定電壓為 750V 的 5mΩ 產(chǎn)品和額定電壓 1200V 的 8mΩ 產(chǎn)品,均采用 TO-247 封裝。獲取有關這一變革性電源技術的更多詳情及詳細產(chǎn)品規(guī)格,請訪問 Qorvo 電源解決方案網(wǎng)站。
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Qorvo(納斯達克代碼:QRVO)提供各種創(chuàng)新半導體解決方案,致力于讓我們的世界更美好。我們結(jié)合產(chǎn)品和領先的技術優(yōu)勢、以系統(tǒng)級專業(yè)知識和全球性的制造規(guī)模,快速解決客戶最復雜的技術難題。Qorvo 面向全球多個快速增長的細分市場提供解決方案,包括汽車、消費電子、國防/航空航天、工業(yè)/企業(yè)、基礎設施以及移動設備。訪問 cn.qorvo.com,了解我們多元化的創(chuàng)新團隊如何連接地球萬物,提供無微不至的保護和源源不斷的動力。
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