2023年7月19日，全球知名半導體制造商ROHM面向數(shù)據(jù)服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備，推出集成GaN HEMT和柵極驅動器的EcoGaN Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。

新產品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專用柵極驅動器、新增功能以及外圍元器件。另外，新產品支持更寬的驅動電壓范圍（2.5V～30V），擁有支持一次側電源各種控制器IC的性能，該產品可以替代現(xiàn)有的Si MOSFET，從而使器件體積減少99%，功率損耗降低55%，非常有助于減少服務器和AC適配器的體積或者損耗。

目前該系列產品已于2023年6月開始量產，包含兩款型號：BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB，導通電阻分別是70毫歐和150毫歐。此外，還備有三款評估板，一款是BM3G007MUV-EVK-002，用來評估芯片的整體方案性能，另外兩款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003，可移植到客戶現(xiàn)有方案進行測試。

EcoGaN相關產品線，羅姆的氮化鎵相關產品的研發(fā)歷程自2006年開始，經過不斷努力，在2021年確立了150V GaN器件技術，普通氮化鎵產品是6V耐壓，而羅姆產品可以做到8V。在2023年4月開始量產650V耐壓產品，此次發(fā)布了這款650V Power Stage IC。EcoGaN是羅姆專門為氮化鎵器件申請的商標。羅姆將有助于應用產品的節(jié)能和小型化的氮化鎵器件命名為“EcoGaN?系列”, 并不斷致力于進一步提高器件的性能。另外，羅姆不僅致力于元器件的開發(fā)，還與業(yè)內相關企業(yè)積極建立戰(zhàn)略合作伙伴關系并推動聯(lián)合開發(fā)，通過助力應用產品的效率提升和小型化，持續(xù)為解決社會問題貢獻力量。