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數(shù)明發(fā)布國內(nèi)首款單通道兼容光耦帶保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動器SLMi33x

2021-06-25 13:42 來源:數(shù)明半導(dǎo)體 編輯:電源網(wǎng)

國內(nèi)領(lǐng)先的驅(qū)動類IC一站式提供商數(shù)明半導(dǎo)體持續(xù)深耕隔離驅(qū)動領(lǐng)域,于近日正式發(fā)布國內(nèi)首款單通道帶DESAT保護(hù)功能的IGBT/SiC隔離驅(qū)動器SLMi33x 。該芯片內(nèi)置快速去飽和(DESAT) 故障檢測功能、米勒鉗位功能、漏極開路故障反饋、軟關(guān)斷功能以及可選擇的自恢復(fù)模式,兼容光耦隔離驅(qū)動器,為客戶工程師提供高質(zhì)量、高性能的替代方案。

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通過采用業(yè)界領(lǐng)先的雙電容隔離技術(shù)和“OOK”傳輸技術(shù),SLMi33x實現(xiàn)了5kVrms的隔離電壓和高達(dá)10kV的隔離浪涌電壓,并具有超過100kV/us (Min.)的共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI),滿足了SiC功率器件對CMTI的高要求,保證了在極端惡劣工作環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性。SLMi33x的DESAT閾值為6.5V或9V,其最大驅(qū)動電流有1.5A,2.5A和4.0A三檔,可廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、大功率變頻器、不間斷電源(UPS)、EV充電、逆變器等應(yīng)用場景。

SLMi33x性能優(yōu)勢

l抗負(fù)壓能力更強

l最大延時更短

l輸入側(cè)和輸出側(cè)的電壓范圍更寬

lCMTI值更高,抗干擾能力更出色

SLMi33x在IGBT三相橋式的典型應(yīng)用電路如圖1所示。正常工作時,Anode和Cathode接收控制器的控制信號,VOUT輸出驅(qū)動信號來驅(qū)動IGBT的開通和關(guān)斷。當(dāng)發(fā)生短路保護(hù)時候,IGBT的VCE電壓通過DESAT檢測,當(dāng)DESAT上的電壓高于6.5V或9.0V時,即關(guān)掉VOUT輸出并傳到控制端側(cè)并拉低FAULT。

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圖1. SLMi33x 典型應(yīng)用電路圖

SLMi33x的管腳定義及封裝為圖2所示 ,其封裝為SOIC16 寬體,并提供大于8mm的爬電和間隙距離。

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圖2. SLMi33x 管腳定義及封裝

目前SLMi33x已在各大變頻器、逆變器等不同領(lǐng)域通過了客戶測試,有12種系列產(chǎn)品可供選擇,申請樣片請郵件至 sales@sillumin.com。

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圖3. SLMi33x 選型指南

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