2019年2月21日 – 專注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓撲能效而設計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅動器、電信和服務器電源以及太陽能 微型逆變器等設備的功率密度。

貿(mào)澤電子供應的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列最低18 奈庫倫 (nC) 的柵極電荷 (Qg)  ，以及經(jīng)優(yōu)化的電容電壓曲線可幫助功率轉換應用中的新拓撲實現(xiàn)高開關效率。ST的 M6超結技術有助于將RDS(ON) 降低到0.036歐姆，從而提高效率。

提供8 A到72 A的額定電流，以及600 V到700 V的擊穿電壓，MOSFET針對軟開關技術優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器。ST MDmesh M6系列MOSFET提供多種封裝選項，包括無引線TO-LL封裝解決方案。與其他封裝相比，TO-LL封裝的面積降低30%，同時實現(xiàn)高效熱管理。