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ST 超結(jié)MOSFET為電橋和ZVS轉(zhuǎn)換器帶來卓越性能

2019-01-22 14:00 來源:ST 編輯:電源網(wǎng)

2019年1月22日 - 意法半導(dǎo)體的MDmesh? DM6 600V MOSFET含有一個快速恢復(fù)體二極管,將該公司最新的超結(jié)(super-junction)技術(shù)的性能優(yōu)勢引入到全橋和半橋拓撲、零電壓開關(guān)(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器等通常需要一個穩(wěn)定可靠的二極管來處理動態(tài)dV/dt的應(yīng)用和拓撲結(jié)構(gòu)里。

ST新聞稿1月22日——意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)的超結(jié)MOSFET為電橋和ZVS轉(zhuǎn)換器帶來卓越性能

MDmesh DM6 MOSFET利用意法半導(dǎo)體先進的載流子壽命控制技術(shù)減少反向恢復(fù)時間(trr),最大限度地降低續(xù)流后關(guān)斷期間二極管的耗散功率。優(yōu)化的恢復(fù)軟度增強了產(chǎn)品可靠性。此外,極低的柵極電荷(Qg)和導(dǎo)通電阻(RDS(ON))以及針對輕負載優(yōu)化的電容曲線,使應(yīng)用能夠?qū)崿F(xiàn)更高的工作頻率和更高的能效,簡化熱管理設(shè)計并降低EMI干擾。

這些新器件非常適用于電動汽車充電樁、電信設(shè)備或數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換器和太陽能逆變器等,更穩(wěn)定的性能和更高的功率密度讓應(yīng)用設(shè)計的電能額定參數(shù)更加優(yōu)異。

MDmesh DM6系列屬于STPOWER?產(chǎn)品組合,全系共有23款產(chǎn)品,額定輸出電流范圍15A至72A,柵極電荷(Qg) 20nC至117nC,RDS(ON)電阻0.240 ?至0.036 ?,采用主流的功率封裝,包括新的低電感無引線TO-LL、PowerFLAT 8x8 HV、D2PAK、TO-220和TO-247,其中TO-247配備短引線、長引線或Kelvin引腳,適合有精密電流檢測需求的應(yīng)用。

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