在單片機(jī)設(shè)計當(dāng)中，串行EEPROM的可靠性有目共睹。但是雖然有著高可靠性，但是串行EEPROM在使用過程中會出現(xiàn)數(shù)據(jù)出錯的情況，并且數(shù)據(jù)出錯的情況大多數(shù)發(fā)生在插拔電源的情況下。下面將羅列出幾種EEPROM的出錯情況，而后提供一些應(yīng)對方法。

出錯情況

1.EEPROM讀寫的時序可能有小小的不對。

2.在掉電時，在電壓降低到一定程度后到完全沒電之間的一段時間內(nèi)，在MCU與EEPROM的讀寫信號線上出現(xiàn)非控制的快速隨機(jī)電平，這些電平可能會組合出一些被EEPROM認(rèn)為合法的寫命令，結(jié)果將EEPROM中的值修改掉；

3.在上電的復(fù)位期間，I/O腳上電平未定，也可能隨機(jī)組合出一些寫命令；

4.在讀EEPROM操作過程中，出現(xiàn)了復(fù)位（如充電復(fù)位）等，形成類似于（二）的情況；

5.在電壓降低后，可能會出現(xiàn)MCU跑飛了，結(jié)果運(yùn)行到了寫EEPROM的底層驅(qū)動程序中，強(qiáng)將數(shù)據(jù)寫入了進(jìn)去。

解決方法

1.按Datasheet上的時序，發(fā)現(xiàn)多數(shù)時候讀寫正確，但有時偶爾不對，這時可以降低讀寫的速度，多幾個NOP。

2.為防止讀EEPROM的過程中出現(xiàn)復(fù)位，可以在MCU復(fù)位后200ms內(nèi)禁止讀寫EEPROM，因充電引起的復(fù)位抖動，一般在數(shù)十毫秒內(nèi)，過了這段時間，再出現(xiàn)復(fù)位的可能性不大，

3.在寫EEPROM的底層驅(qū)動程序中，在執(zhí)行寫動作時，判斷一下某些標(biāo)志，有良名證的才能通過，否則，只好打回原籍（跳到復(fù)位地址）。

4.對于重要的數(shù)據(jù)（如通信密碼、參數(shù)設(shè)置等，這些部分信息量不大，要采用三次備份的手段。這些信息存放在三個不同的PAGE內(nèi)，最好PAGE內(nèi)的地址也不一樣。在寫這些數(shù)據(jù)時，要針對不同的地址寫三次，而讀時，對于三處讀來的數(shù)據(jù)，如果全相同，沒什么可說的了，如果有兩個相同，一個不同，則使用大數(shù)判決，使用相同的那個值，并將這個數(shù)值寫到不同的那個地址去。

也會有一種三種取值完全不同的情況，這種情況下只好隨便取一個（如第一個），再將其寫入另兩個地址中去。這種方法非常有效，因為一般誤擦除不會是全部數(shù)據(jù)，而只是某一處而已，可以允許EEPROM某單元被誤擦除，只要讀了一次就恢復(fù)了。