2016年7月14日 北京訊 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%，同時(shí)，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mmx0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。

CSD18541F5金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）持典型的54-mΩ導(dǎo)通電阻（Rdson），其設(shè)計(jì)與優(yōu)化的目的是取代空間受限的工業(yè)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中的標(biāo)準(zhǔn)小信號MOSFET。這種微型連接盤網(wǎng)格陣列（LGA）封裝的焊盤間距為0.5-mm，易于安裝。

CSD18541F5是TI FemtoFET MOSFETs中NexFET?技術(shù)方案組合的新成員，擁有高電壓及生產(chǎn)友好型占位面積。請下載設(shè)計(jì)綜述，了解有關(guān)LGA封裝的詳細(xì)信息。

CSD18541F5主要特點(diǎn)和優(yōu)勢

·10-V柵源（VGS）的超低54-mΩ Rdson比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)減小90%，使功耗得以降低。

·超小型1.53-mmx0.77-mmx0.35-mm LGA封裝比SOT-23封裝中的傳統(tǒng)負(fù)載開關(guān)尺寸減小80%，使印刷電路板（PCB） 的空間得以降低。

·生產(chǎn)友好型0.5-mm焊盤間距。

·集成靜電放電（ESD）保護(hù)二極管可防止MOSFET柵過壓。

封裝和供貨

CSD18541F5內(nèi)置于3針LGA封裝，目前可由TI及其授權(quán)分銷商批量供貨（單位數(shù)量1,000）。請下載PSpice瞬態(tài)模型。

關(guān)于TI的NexFET功率MOSFET

TI的NexFET功率MOSFET提升了高功率計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)和電源應(yīng)用中的能量效率。此類高頻、高效率的模擬功率MOSFET使得系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠運(yùn)用現(xiàn)有的最先進(jìn)的DC/DC電源轉(zhuǎn)換解決方案。

了解更多有關(guān)TI電源管理產(chǎn)品系列：

·查閱TI有關(guān)FET功率MOSFET的完整產(chǎn)品系列。

·采用TI的WEBENCH電源設(shè)計(jì)庫在線設(shè)計(jì)完整的電源管理系統(tǒng)。

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